今年七夕,中二所带你重新定义爱情!(文末有彩蛋哦~)
晶格具有周期性,周期性的晶格会形成能带,固体材料中有很多电子,电子填充时通常先填充能量最低的带,电子填充的能量最高的满带称为价带,没有电子填充的能量最低的带称为导带。导带中的载流子为电子,价带中的载流子为空穴,电子带负电,空穴带正电,由于电子和空穴带相反电荷,它们之间的库伦吸引作用会导致电子和空穴形成...
研究揭示胶体量子阱中的热电子弛豫机制
后者的导带和价带附近是完全分立的能级,而前者的导带和价带附近是分立的子带,每个子带在量子阱面内仍然具有类似体相材料的色散关系。这些子带间的电子跃迁和弛豫过程在量子级联激光器等单极光电器件的设计中扮演着非常重要的角色。然而,目前人们对胶体量子阱中的子带间电子弛豫动力学机制理解较为有限。工作中,团队选...
中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展
导致Rashba效应能够存在的独特必要设计原则是时间反演对称性和非零自旋轨道耦合效应,而铁电性的独特必要设计原则是两个具有相反铁电极化的简并基态和具有非极性空间群的非极性过渡态。此外,优化设计原则包括价带顶或导带底中的纯Rashba效应、用于器件小型化的薄材料、可克服的铁电能量势垒。根据必要设计原则在二维材料数据...
Nature communications | 基于石墨烯设计的新型二维碳材料!
在能带结构图(d–f)中,蓝线和橙线分别表示价带和导带。在AKC-[3,3]的能带结构图(d)中,圆圈标记轨道图的位置:g价带,h费米能级上方的导带,i第二能隙上方的导带。在(g)–(i)中,黄色和蓝色分别显示Γ点处真实电子波函数的正区域和负区域。电子波函数的等值面值为3×10-5。图3|PBE凸包图。a吲哚...
发光学报 | 深红至近红外碳点光热特性的研究进展
(4)电子可以通过半导体耦合的方式在不同半导体的价带和导带之间转移,最终起到缩小带隙和提高载流子分离效率的作用。(5)通过生物大分子包覆,降低热量损耗并实现电子与生物大分子之间的传递,进而增强近红外吸收和光热转换效率。事实上,大多数已有光热特性碳点的合成策略报道集中在杂原子掺杂和半导体耦合等方式上。尺寸调...
量子材料中的自旋—动量锁定新效应
对称均为二重简并,总自旋极化为零,但投影至每个原子层的局域自旋极化不为零,即隐藏自旋极化;(c,d)导带与价带的三维能带示意图,其中箭头标出了能带的局域自旋极化;(e,f)分别进一步展示了导带和价带的局域自旋极化二维投影图,可以看到,导带为Dresselhaus型,而价带为Rashba型隐藏自旋极化[9]...
可以通过基因编辑获得想要的哥斯拉吗?| No.376
导带与价带之间的区域叫做禁带,能量差叫禁带宽度。电子平常位于价带。发光时,电子先被激发到导带中,然后向下跃迁回价带并释放一个光子,光子能量就等于禁带宽度。蓝光相比于红绿光,波长短、能量高,对应的发光材料的禁带宽度大。在LED发展的初期人们并没有发现合适的材料。后来,随着InN和GaN的出现,理论上可以通过调节...
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?
氮化镓和碳化硅都属于一类称为宽带隙半导体的器件。半导体的带隙定义为电子从价带跳到导带所需的能量(以电子伏特为单位)。价带只是电子占据的任何特定材料的原子的最外层电子轨道。价带的最高占据能量状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙,表示材料的电导率。较大的带隙意味着需要大量能量才能将价电子激发...
发光学报|二维材料及其异质结构中载流子动力学过程研究进展
当两种二维材料形成异质结构时,依据两种材料的离化能(价带顶离真空能级的距离)和电子亲和能(导带底离真空能级的距离),主要会形成Ⅰ型和Ⅱ型的能带排布。这两类异质结构呈现显著不同的光电性质。在Ⅱ型异质结构中,导带底和价带顶分居两层。因此,电子和空穴倾向通过层间电荷转移过程,分离到两层中。当光激发的材料...
中美联手芯片大突破!石墨烯半导体横空出世,硅基时代转向碳基?
价带的严格定义,是固体在绝对零度下,电子所处的最高能量区域。由于是在最外层,如果给价带上的电子一些能量,它就可能跳到更高能级的导带中,这里平常是没有电子的,电子到了这里就可以无拘无束,自由自在地移动形成电流,所以叫导带。这要放在由众多太阳系构成的宇宙固体里,就是我们把海王星、天王星给“打”出去,让...