华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布

之后对体区进行热扩散推进;在体区上形成硬掩膜层和光刻胶层;光刻打开光刻胶层以定义出栅沟槽的形成位置,之后利用各向异性刻蚀的方法在硬掩膜层上形成开口至外延层上,以硬掩膜层为掩膜刻蚀开口底部的外延层以形成第一栅沟槽,第一栅沟槽从外延层的上表面

功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和...

各芯片在导热通路上有多个导热层,在IEC60747-15Discretesemiconductordevices–15_Isolatedpowersemiconductordevices按照设计的具体需要定义了壳温Tc和散热器温度Th,以及测试方法。在损耗和热仿真时,基本的仿真总是针对单个IGBT或单个二极管,所以需要知道的壳温是指芯片正下方的温度,散热器温度也是指芯片正下方...

功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻

这个定义,就与电路中的欧姆定律一致:不同介质(固体、液体或气体)导热能力不同,以热的形式传输热能的能力定义为导热系数λ。因为导热系数是介质的特性,所以某种材料的导热系数可以看作是一个常数。导热系数又称热导率,单位是W/(m·K)。下表给出了一些材料的λ值。从上表可以看到功率半导体常用材料的导热系数,...

晶圆工艺中的扩散过程详解

扩散(Diffusion)是晶圆制造过程中至关重要的工艺步骤之一,尤其是在半导体制造中,用于掺杂硅基材料。这一过程是通过扩散将特定的掺杂物(如磷、硼、砷等)引入硅晶圆,以调整其导电性。1.扩散的基本原理扩散,是指分子从高浓度区域向低浓度区域移动的过程。在晶圆制造中,扩散的对象是掺杂物(例如砷、磷或硼等),这...

中国半导体氧化扩散设备行业现状分析及投资前景调研报告2024年

1.3从不同应用,半导体氧化扩散设备主要包括如下几个方面1.3.1不同应用半导体氧化扩散设备增长趋势2019VS2024VS20301.3.2集成电路(IC)1.3.3光伏电池1.3.4先进封装1.3.5微机电系统(MEMS)1.3.6功率器件1.3.7其他1.4行业发展现状分析...

【TR35】2024中国科技青年论坛暨“35岁以下科技创新35人”中国区...

DiT则是一种创新的图像生成框架,将Transformer应用于扩散模型中,能够有效提升图像生成的质量和效率(www.e993.com)2024年11月9日。最近,他又参与提出了可扩展插值Transformer模型SiT。该模型基于DiT主干构建,相较于标准的扩散模型,能以更加灵活的方式实现两个分布之间的连接。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

刻蚀的主要目的是在半导体器件的制造过程中,根据设计要求精确地去除或调整材料层,以形成电路的结构或图案。其作用包括但不限于以下几个方面:定义精确的电路图案:在光刻和显影步骤后,刻蚀步骤可以将设计好的图案转移到晶圆表面,用于制造导线、晶体管和其他电子元件的结构。刻蚀精度直接影响到电路的线宽和间距,这对器件...

第三代半导体发展现状及未来展望

5G基站对射频器件提出更高的要求,传统的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)无法适应5G的高频率,而GaN适应的频率范围拓展了40GHz甚至更高,可适应5G高频的需求;GaN具有软压缩特性,更容易预失真和线性化,实现更高的效率;GaN可以做到更高的功率密度,达到LDMOS器件功率密度的4倍左右;GaN封装尺寸仅是LDMOS的1/4~1/7,GaN...

巨丰百科|半导体概念概念股解析:半导体概念龙头上市公司有哪些?

捷佳伟创公司是一家高速发展的光伏设备及绿色能源产业专用设备制造商，2007年创立于深圳市宝安区，并于2010年与深圳市捷佳创精密设备有限公司成功实现业务整合，产品涵盖原生多晶硅料生产设备、硅片加工设备、晶体硅电池生产设备等;公司系国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备制造商，主营PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀...

中国化合物半导体行业发展驱动因素、市场运行格局分析报告—智研...

一、定义及分类半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系、有机化合物半导体和宽禁带半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族主要...