Light | 太赫兹发射谱:二维材料物理的新视角
基于二阶非线性效应的太赫兹发射通常来自非中心对称晶体中,但如果倾斜入射光的入射角,石墨烯等具有中心对称结构的材料也会产生太赫兹发射,这被归因于光拖曳效应(photon-drageffect):在非热电子和空穴数量的不对称分布下,斜入射的飞秒光泵浦脉冲的有限面内光子动量转移到电子空穴对,导致价带和导带之间产生非垂直跃迁,...
带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?
半导体的带隙定义为电子从价带跳到导带所需的能量(以电子伏特为单位)。价带只是电子占据的任何特定材料的原子的最外层电子轨道。价带的最高占据能量状态与导带的最低未占用状态之间的能量差称为带隙,表示材料的电导率。较大的带隙意味着需要大量能量才能将价电子激发到导带。相反,当价带和导带像金属一样重叠时,电...
今年七夕,中二所带你重新定义爱情!(文末有彩蛋哦~)
晶格具有周期性,周期性的晶格会形成能带,固体材料中有很多电子,电子填充时通常先填充能量最低的带,电子填充的能量最高的满带称为价带,没有电子填充的能量最低的带称为导带。导带中的载流子为电子,价带中的载流子为空穴,电子带负电,空穴带正电,由于电子和空穴带相反电荷,它们之间的库伦吸引作用会导致电子和空穴形成...
半导体激光器的定义东方闪光告诉您
高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。
磁性外尔半金属材料研究现状与展望
理想拓扑金属的费米能级附近有且仅有导带和价带形成的交点或交线,具有零费米能态密度或完全补偿的电子或空穴载流子,因此称之为拓扑半金属。当前,拓扑半金属家族按照能带交叉点的简并度和分布情况,可以分为狄拉克(Dirac)半金属[3]、外尔(Weyl)半金属[4,5]和节线(nodalline)半金属[6]、多重简并点半金属[7]...
半导体材料在纳米光子学中的作用
当光子被半导体吸收时,会导致光吸收,光子能量必须等于或大于带隙能量才能发生吸收,价态和传导能级之间的能量差称为带隙能,通过吸收在价带和导带中产生电子和空穴(www.e993.com)2024年9月10日。半导体能带结构示意图导带上的最低能级将被产生的能量高于带隙的电子快速填充,此外,在价带中产生的空穴将上升到价带的顶部,如上图所示,带内跃迁是电...
专家约稿|微电子大马士革工艺的发展现状
干法刻蚀和Low-k材料沉积的过程需要使用到等离子体技术,但高能量的等离子体会导致充电损伤,降低体系的可靠性。其原理是福勒-诺德海姆(FN)隧穿过程,由于等离子体携带高能光子,当光子能量超越Low-k材料的禁带宽度时,会令材料的电子从价带跃迁至导带,形成短路,所有Cu连线作为一个等势体,会从各个方向收集Low-k介电材料...
Meta专利构思实现高量子效率的Micro LED像素
当在触点765和785之间施加电压信号时,电子和空穴可以在有源层735中重新结合。电子和空穴的复合可能会引起光子发射,从而产生光。发射光子的波长和能量可以取决于有源层735中价带和导带之间的能带隙。当形成台面结构时,台面结构的小平面可能包括一定的缺陷,例如未满足的键合、化学污染和结构损伤(例如当干法蚀刻时),这...
【材料课堂】收藏!超全的材料专业英语词汇|合金|基体|金属|聚合物...
带隙能。带隙能指在半导体和绝缘体中,价带和导带之间的能量;对于本征材料,电子不具有带隙能范围内的能量。Bifunctional.双功能团。双功能团指单一分子物体具有两个活性结合位置。Blockcopolymer.块状共聚物。块状共聚物指分子链上同一摩尔单元聚集成块状的线性共聚物。
Science Bulletin 2023年第11期
同样的量子振荡行为也出现在导带半填充处以及非石墨栅极的样品中,表明了该现象的普适性.为了解释该振荡的起源,作者根据实验中提取的与费米面相关的参数构建了反带模型,并通过计算发现能隙中的态密度会随磁场发生振荡,这与实验结果相吻合.本研究表明转角双层-双层石墨烯蕴含着丰富的关联和拓扑现象,是研究...