当开关电源输入过压,如何防护?

当用电设备在户外场合时,在雷雨天气打雷时,电网中有时会感应到雷电高压尖峰电压,导致电网输入电压存在一个较高的电压尖峰,此尖峰电压会叠加到220VAC输入电压中,导致尖峰电压随之进入电源内部,电源内部的元器件过压损坏。最恶劣的情况是雷电直接击中电网电线,导致电网电压瞬间上升到电源和设备无法承受的值,电源直接损坏。...

拆解报告:QCY意象H3 Pro头戴式蓝牙降噪耳机

LPS微源半导体LP5308过压过流保护IC，耐压高达36V，更能吸收瞬间尖峰电压，内阻135mΩ使得输入端电压损耗更小，引用更安全的正极保护方式，同时输入端过压保护响应时间极短为40ns,更能有效的阻止瞬间插拔尖峰，更好地为后端功能保驾护航。LPS微源半导体LP5308详细资料图。据我爱音频网拆解了解到，目前已有小米、QQ音...

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兆晟科技取得一种直流电源缓启动开关电路专利,有效控制启动电流...

MOS管Q1的漏极连接直流输出电源,MOS管Q1的栅极分别连接电容C1的另一端,电阻R3的一端、二极管D1的负极,电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、电阻R3的另一端、二极管D1的正极,电阻R2的另一端连接MOS管Q2的漏极,MOS管Q2的栅极连接开关控制信号,MOS管Q2的源极...

8种开关电源MOS管的工作损耗计算

叠加的电流波峰确切数值我们难以预计得到,其跟电路架构和器件参数有关。例如FLYBACK中实际电流应是Itotal=Idp1+Ia+Ib(Ia为次级端整流二极管的反向恢复电流感应回初极的电流值--即乘以匝比,Ib为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET开关开通瞬间释放的电流)。这个难以预计的数值也是造成...

新能源汽车快充行业深度报告:电动汽车20时代必争之地

在BMS的充放电回路里,MOS管开关的瞬间,电流会突然变化,这样就产生了漏极尖峰电压,这会让MOS管坏掉的(www.e993.com)2024年11月14日。功率管开关的速度要是越快呢,产生的过电压就越高。所以啊,升级到800V平台之后,为了不让器件损坏,主要是防止通信被雷电、系统自己电源的浪涌还有静电影响,避免系统通信瘫痪,就在GS级之间加上大功率的TVS二极管。

MOS管烧了,可能是这些原因

如果用太高的电压驱动MOS管栅极,则栅极氧化物绝缘层可能会被击穿,从而导致MOS管无法使用。超过+/-15V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障,应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。栅极驱动不足(不完全开启)...

MOS管及其外围电路设计

注2:Cgd,Cgs,Cds为mos管的三个寄生电容,在考虑mos管开关瞬态时,这三个电容的影响至关重要。图1mos驱动电路结构1.1驱动电阻的下限值驱动电阻下限值的计算原则为:驱动电阻必须在驱动回路中提供足够的阻尼,来阻尼mos开通瞬间驱动电流的震荡。当mos开通瞬间,Vcc通过驱动电阻给Cgs充电,如图2所示(忽略Rpd的影响...

反激电源电路分析

开关OFF通路能量不可能凭空消失,因此需要一个回路来释放电感存储的能量,开关OFF时,通过二极管D6电阻R10释放能量,此处的电容与电阻并联,为了避免开关管的高频信号影响直流分量信号,起滤波作用。加速关断驱动MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄...

上海贝岭“功率器件&电源IC”在PD快充中的应用

1.高击穿电压:保证开关MOS能够不被击穿;2.低内阻:导通状态下产生的功率小,发热少;3.低热阻:正常工作时发热量小;4.高雪崩耐量:发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰,高雪崩耐量可使MOS管不被击穿;5.短路电流能力强:短路瞬间会产生较大电流,MOS管需要有承受较大电流的能力。