【专利解密】国产芯片赶追之路 中芯国际发明传输门晶体结构存储器...

如上图,为该专利中发明的存储器的结构示意图,存储器包括衬底100、下拉晶体管(PD)110D和传输门晶体管(PG)110G,其中下拉晶体管和传输门晶体管均设置在衬底上,衬底的材料通常选用硅、锗或者锗硅混合形式,且传输门晶体管的沟道区域的长度L1大于下拉晶体管的沟道区域的长度L2。此外,在存储器上还包括有上拉晶体管(...

【光电集成】硅基光电子工艺中集成锗探测器的工艺挑战与解决方法

图5硅基光电子芯片集成Ge探测器示意图如图6(a)所示,为了进一步提升器件性能,通过采用工艺温度较低的镍的硅化物(NiSi,工艺温度约400℃)替代工艺温度较高的钴的硅化物(CoSi??,工艺温度约800℃),来降低后续工艺温度对探测器的和其他硅光器件的影响。如图6(b)所示,采用Ni作为生成硅化物的金属,分别采用Ni和Co...

张新亮&余宇Nat. Photonics:实现增益带宽积超过1THz的锗硅雪崩...

研究团队认为该工作为下一代高速光互连开辟了新的道路。图1.所研制的锗硅APD探测器的结构示意图。a,3D示意图;b,2D截面示意图。图2.a,带宽测试结果图;b,带宽和增益带宽积随着增益变化关系;c,测到的高速OOK和PAM4信号的眼图;d,该工作和其他工作的比较。相关论文信息:httpsdoi/10.1038/s415...

下一代晶体管结构:小荷已露尖尖角

CFET示意图（图片来源：imec）在刚刚落下帷幕的2023年IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，台积电、三星和英特尔各自秀出了在下一代晶体管结构领域的尖端技术。图中这款被称为“互补场效应晶体管（CFET）”的晶体管结构，被视为1nm以下制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。它的出现，将为...

均质化正极材料为全固态锂电池商业化奠定基础

记者7月31日从中国科学院青岛生物能源与过程研究所(以下简称青岛能源所)获悉,该所研究员崔光磊带领的团队开发出一种均质化正极材料——锂钛锗磷硫硒,这种全新的电极材料兼具电导率高、放电比容量高、使用寿命长等优势,可显著提升电池性能,为新能源汽车、储能电网、深海、深空等装备提供安全、耐久、可靠的动力源(4.360...

中国科技期刊卓越行动计划推介:《物理学报》2024年第14期

图1(a)Ge-Sr3Sn2O7的结构示意图;Sr3Sn2O7(b)和Ge-Sr3Sn2O7(c)在[001]方向12.3??处平面上的二维差分电荷密度图,等高线间隔为0.005同行评价作者成功制备了RP型氧化物Sr3Sn2O7,通过B位Ge掺杂增强了材料铁电性能并有效降低了矫顽场,结合理论计算分析判断该B位掺杂导致的极化增强效应与SnO6八面体畸...

重磅!我国科学家取得全固态锂电池研究新突破!

△复合正极和均质化正极在充电过程中微观结构演变示意图与传统材料相比,该材料具有高电导率、高能量密度、长使用寿命等优势:高电导率:这种新材料兼具高离子电导率、高电子电导率,比传统的电池材料(层状氧化物正极材料)高出1000倍以上。这意味着,即便不依赖导电助剂,正极也能顺畅地完成充放电过程,显著提升了电池的...

南京大学「国家杰青」缪峰团队,半年发了五篇Nature子刊|磁场|信号...

该方案的硬件实现是基于石墨烯/锗混合维度异质结构的多端口光电器件,通过在相邻器件之间引入信号交互与关联控制,根据图像局域光强梯度,动态调控卷积核权重,形成可自适应图像内容的传感器内动态卷积计算单元。首先,研究团队在图像传感器内构建了局域像元关联计算单元(图1),展示了该计算单元如何实现对图像中低对比度信息...

不放过一个光子!突破极限的太阳能电池

独特结构这种新材料能够做到高达190%的外部量子效率(EQE)是因为它有独特的“中间能带态”。在半导体中,“中间能带”指在一块半导体材料中,在传统的价带和导带中间,还存在一个能量较低的能带——中间带。研究人员将铜(Cu)原子插入硒化锗(GeSe)和硫化锡(SnS)的二维薄层材料的“范德华间隙”中,让这种材料处于“...

基础知识之晶体管

晶体管最初是由一种叫做“锗”的物质(半导体)制成的。然而,锗具有在80℃左右时会损坏的缺点,所以现在大多采用硅材质。顺便提一下,硅是一种可以承受约180℃高热的物质。二、概述晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1、按结构分类...