光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

BCl3常温下是气体,安全性差一些,产生的B2O3是颗粒状的,容易清理,不足之处在于B-Cl键能比较大,不容易分解,在扩散温度下利用率不高。ITRPV预测,以后BBr3这条路子还是会占大头,不过BCl3这条路子占的份额会慢慢变多,到2032年的时候,大概能有40%上下的市场份额。2.2、同质结:SE为啥要有SE(选择性发射极...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

反应种类:常用的反应气体包括氟化物(如CF4、SF6)、氯化物(如Cl2、BCl3)和氧化物(如O2)。2.设备与工艺:反应器类型:化学刻蚀常在等离子体刻蚀(PE)设备中进行,通过控制反应气体种类、流量和等离子体功率实现刻蚀。控制参数:影响化学刻蚀的主要参数包括反应气体种类与浓度、等离子体功率、刻蚀温度和时间。氧化物...

CsPbBr1.5Cl1.5钙钛矿量子点 全无机钙钛矿量子点 蓝光量子点

钙钛矿材料是一类具有钙钛矿结构的化合物,通常具有ABX3的晶体结构,其中A位是较大的阳离子,B位是较小的阳离子,X位是阴离子。钙钛矿材料因其在光电子学领域的广*应用而备受关注。在太阳能电池领域,有机-无机混合钙钛矿材料,如甲基铅铅溴钙钛矿(CH3NH3PbBr3)、甲基铅铅碘钙钛矿(CH3NH3PbI3)等,因其较高的吸收系...

有机金属三卤化物MAPbBr_3钙钛矿单晶的介绍丨钙钛矿材料

呈立方体晶形。在立方体晶体常具平行晶棱的条纹,系高温变体转变为低温变体时产生聚片双晶的结果。有机金属三卤化物MAPbBr_3钙钛矿单晶丨钙钛矿材料钙钛矿其结构通常有简单钙钛矿结构、双钙钛矿结构和层状钙钛矿结构。简单钙钛矿化合物的化学通式是,其中X通常为半径较小的或,双钙钛矿结构(Double-Perovskite)具有组成...

清华孙洪波团队:提出结晶光刻新技术,实现钙钛矿单晶的“驭光生长”

这些钙钛矿结构具有光滑平整的表面,避免了激光加工过程中常见的表面损伤,而且维持了较低的缺陷密度,这对于提升材料的光电性能至关重要。此外,研究者通过相同的设计策略,将这一技术应用到MAPbCl3、FAPbBr3、MAPbI3等钙钛矿结构中,进一步证明了技术的普适性。该技术有望进一步应用到器件的制备过程中。

国产半导体,不应该被一口“气”扼住

(AsH3)、乙硼烷(B2H6)、一氧化二氮(N2O)、六氟化硫(SF6)、六氟化钨(WF6)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、三氯化硼(BCl3)、三氟化硼(BF3)、三氟甲烷(CHF3)、六氟乙烷(C2F6)、二氯二氢硅烷(Si2H2Cl)、四氟化硅(SiF4)、正硅酸乙酯[(C2H5O)4Si]、八氟丁烷(C4F8)、高纯氨气(NH3)、高纯氯气(Cl2)...

23考情分析|最新解读倾力整理!暨南大学821材料综合考研 含复试线...

A.NF3;B.NO2;C.PCl3;D.BCl3下列氯化物中,熔点最低的是A.HgCl2;B.FeCl3;C.FeCl2;D.ZnCl2下列分子和离子中,键能最大的是A.N2;B.O2+;C.NO;D-下列分子和离子中,具有顺磁性的是A.NO+;B.[Fe(CN)6]4-;C.B2;D.CO...

国产半导体,争一口“气”

(AsH3)、乙硼烷(B2H6)、一氧化二氮(N2O)、六氟化硫(SF6)、六氟化钨(WF6)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)、三氯化硼(BCl3)、三氟化硼(BF3)、三氟甲烷(CHF3)、六氟乙烷(C2F6)、二氯二氢硅烷(Si2H2Cl)、四氟化硅(SiF4)、正硅酸乙酯[(C2H5O)4Si]、八氟丁烷(C4F8)、高纯氨气(NH3)、高纯氯气(Cl2)...

半导体蚀刻设备行业深度研究:国产刻蚀机未来可期

铝和氯反应产生具有挥发性的三氯化铝(AlCl3),随着腔内气体被抽干。一般情况下,铝的刻蚀温度比室温稍高(例如70℃),AlCl3的挥发性更佳,可以减少残留物。除了氯气外,铝刻蚀常将卤化物加入,如SiCl4,BCl3,BBr3,CCl4,CHF3等,主要是为了去除铝表面的氧化层,保证刻蚀的正常进行。

半导体材料之电子特气深度报告:晶圆制造之血液

特种气体指半导体生产环节中,比如延伸、离子注进、掺和、洗涤、遮掩膜形成过程中使用到一些化学气体,也就是气体类别中的电子气体,比如高纯度的SiH4、PH3、AsH3、B2H6、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等,在IC生产环节中,使用的电子气体有差不多有100多种,核心工段常见的在30种...