碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?

首先,在半导体领域,碳化硅晶体是制造高性能功率器件的理想材料。相较于传统的硅基半导体,碳化硅具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更低的导通电阻。这使得基于碳化硅的功率器件能够在更高的温度、更高的电压和更高的频率下工作,从而显著提高电力转换效率,降低能源损耗。例如,在电动汽车的电源转换系统中,碳化硅功率...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

作为对照组实验,研究团队用在碳化硅衬底上制造的相同形状的晶体管进行了比较,以验证用相同方法在金刚石衬底上制造的氮化镓晶体管的散热情况。结果证实,在金刚石衬底上的晶体管的散热能力比在碳化硅衬底上的晶体管提高大约2.3倍。此外,他们实验得到的金刚石衬底上的晶体管比之前其他研究中在金刚石衬底上制作的晶体管实...

"双碳"目标下碳化硅产业处爆发开始阶段 大尺寸化成技术主流

中国网/中国发展门户网讯碳化硅(SiC)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,上世纪90年代只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术。SiC晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。中国科学院物理研究所碳化硅...

瑞纳智能:正在加快碳化硅晶体的研制工作

公司回答表示:答:相关产品正在研发中,公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作。本文源自:金融界AI电报

晶升股份获得发明专利授权:“一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的...

证券之星消息,根据企查查数据显示晶升股份(688478)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方法”,专利申请号为CN202111676687.7,授权日为2024年6月11日。专利摘要:本发明公开了一种碳化硅长晶时晶体厚度及质量的测量系统及方

加码碳化硅!华为申请晶体生长专利

天眼查资料显示,4月5日,华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利,申请公布号为CN117822097A,申请日期为2022年9月28日(www.e993.com)2024年11月9日。source:国家知识产权

同光晶体:自主创新助力新基建

走进碳化硅单晶生产车间,一排排生长炉整齐排列,2000多摄氏度高温的炉腔发出柔和的橘红色光亮,一块块碳化硅晶体在静静生长。一张薄薄的晶片在炉里能生长成3厘米左右厚度的碳化硅晶体,经加工变成碳化硅单晶衬底,用于制作芯片。“这些设备都是由我们的科研团队自主研发设计的,再交由设备厂家按照技术标准定制。”看着身旁...

科友半导体制备晶体厚度突破80mm 成本降70%,产量大幅提升,盈利...

记者从哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（简称科友半导体）获悉，日前，该公司碳化硅晶体生长车间传来捷报，其自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度...

科友半导体晶体厚度突破80毫米

记者从哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司(简称科友半导体)获悉,日前,该公司碳化硅晶体生长车间传来捷报,其自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80毫米,薄点厚度超过60毫米的导电型6英寸碳化硅单晶,这也是国内首次报道和展示厚度超过60毫米的碳化硅原生锭毛坯,厚度是目前业内主流晶体厚度...

济南领先!全球率先研制成功12英寸铌酸锂晶体,意义在哪?

举个例子吧，在济南，有一家名叫天岳先进的公司，专注于碳化硅衬底材料。还有一家南砂晶圆公司，虽然刚落地济南不久，但发展势头很猛。再加上山东大学与济南市政府共建的晶谷研究院，总投资高达10亿元，致力于打造完整的晶体材料、芯片模组和装备应用的全产业链。借用他们的话说，就是要形成“小晶体”带动“大产业”...