5.2亿!天科合达加码碳化硅设备
而在今年8月,北京市生态环境局公示了天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(以下简称:二期项目)环评审批。二期项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能,同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬...
高硬度“氮化硅碳化硅陶瓷”原理
我们需要了解什么是氮化硅碳化硅陶瓷。这是一种由氮化硅和碳化硅组成的复合材料,通过特定的制备工艺,使两种材料在微观层面上紧密结合,形成具有优异性能的陶瓷材料。氮化硅和碳化硅的硬度主要来源于其晶体结构和化学成分。不同的晶体结构决定了材料的硬度,如六方晶系结构的氮化硅和立方晶系结构的碳化硅都具有非常高的硬度。
碳化硅晶体在高科技领域有何应用?这种材料有哪些技术挑战?
首先,在电子领域,碳化硅晶体是制造高性能功率器件的理想选择。由于其具有高击穿电场强度和高热导率,碳化硅功率器件能够在高温、高电压和高频率的环境下稳定工作,显著提高了能源转换效率,降低了系统损耗。与传统的硅基器件相比,碳化硅器件能够实现更小的尺寸和更高的功率密度,为电动汽车、太阳能逆变器和工业电源等应用带...
天岳先进:液相法的大规模应用尚需要攻克碳化硅单晶高质量生长界面...
生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法(PVT)、高温气相化学沉积法(HT-CVD)、液相法(LPE)等方法。其中,PVT法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势,理论上...
关键突破!8英寸碳化硅时代呼啸而来 | 金刚石大会 | 碳材料展
上海汉虹:制备8英寸碳化硅晶体8月30日,上海汉虹官微宣布,他们在拉晶实验室中,使用自行研发制造的碳化硅长晶炉成功拉制出高品质8英寸碳化硅晶体,此晶体具备优良的均匀性和低缺陷密度,直径达到200毫米标准,电阻率和晶向均符合高端应用要求。据悉,该晶体的制备使用了上海汉虹自行研发制造的碳化硅长晶炉,采用上进料方式和...
8英寸碳化硅时代呼啸而来!
近日,我国在8英寸碳化硅领域多番突破,中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级,三义激光首批碳化硅激光设备正式交付,天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售,上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体(www.e993.com)2024年9月17日。8英寸碳化硅时代已呼啸而来,未来将会有更多厂商带来新的产品和技术,我们拭目以待。
"双碳"目标下碳化硅产业处爆发开始阶段 大尺寸化成技术主流
陈小龙:碳化硅半导体现在差不多形成一个完整的产业链了,从晶体生长,也就是晶圆制备,到外延生长,到器件,到模块,到应用,现在国内已经初步建立起来了。碳化硅属于第三代半导体材料,和第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比,它有很多的优点。其中它的带隙特别大,导热特别好,耐击穿场强也特别高,特别适...
天岳先进获得发明专利授权:“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示天岳先进(688234)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”,专利申请号为CN202410579039.7,授权日为2024年8月9日。专利摘要:本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件,涉及碳化硅晶片技术领域。该碳化硅衬底由晶体至...
京运通:我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体,正在进行生长工艺的优化
投资者:碳化硅炉以及相关产品是否有销售成交?京运通董秘:您好。我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体,正在进行生长工艺的优化。目前尚未对外销售。感谢您的关注。投资者:针对隆基发布的泰睿系列硅片,公司的硅片是否具备竞争力?京运通董秘:您好。公司提供不同尺寸和规格的硅片以满足客户需求。感谢您的关注。
「IC风云榜候选企业224」烁科晶体:向世界一流的碳化硅材料供应商...
候选企业山西烁科晶体有限公司(以下简称:烁科晶体)候选奖项年度优秀创新产品奖集微网消息,碳化硅单晶的制备一直是全球性技术难题,而高稳定性的晶体生长工艺则是其中最核心的技术。作为第三代半导体碳化硅材料生产研发企业、中国电科集团“十二大创新平台”之一,山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域,...