范德华隧道结作为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管

该工作中以MoS2/h-BN/Metal为沟道的垂直隧穿铁电场效应晶体管在铁电调控下展现出了典型的双极性电输运行为(图1h),体现了铁电畴对MoS2的费米能级从导带底附近到价带顶附近的有效调制。值得注意的是,本工作打破了传统晶体管中以单纯半导体作为沟道的做法,创新地将含有MoS2电极的范德华隧道结设计为沟道。因此,垂直隧...

研究人员开发出基于二维半导体制造高性能晶体管的方法

Shen表示:“我们发现,与人们认为CVDh-BN是一种不良栅极电介质的观点相反,选择合适的金属电极可使其在具有MoS2通道的场效应晶体管中得到有效利用。MoS2和h-BN形成干净的范德华界面,从而提高可靠性。我们的研究结果表明,使用Pt和W等高粘结能金属可使CVDh-BN成为2D晶体管中的有效栅极电介质。

人造铁电氮化硼晶体

具有sp2杂化键的层状氮化硼(BN)以其卓越的化学稳定性、高热导率以及无悬挂键的原子级平整度,成为宽带隙二维绝缘体的优选材料[1—3]。同时,作为新一代电介质材料,其低介电常数和低介电损耗的特性,也为提升器件速度和降低器件功耗提供了物理基础[4]。长期以来,多层BN薄膜的研究主要集中在常见的六方氮化硼(hBN)...

上海证券给予惠伦晶体增持评级 实际控制人即将完成变更 晶振龙头...

上海证券12月05日发布研报称,给予惠伦晶体(300460.SZ,最新价:12.74元)增持评级。评级理由主要包括:1)2023年第三季度业绩显著改善,本次股权转让成功后有望助力公司经营向好;2)终端需求复苏预期下,公司消费电子业务有望迎来修复;3)高端晶体&振荡器产品出货同比增长,汽车电子业务进展顺利。风险提示:国产化替代不及预期...

??本土培养青年学者,连发2篇Nature,这次是一作兼通讯!

人造氮化硼晶体:倾斜台阶面外延生长铁电菱方氮化硼单晶在二维电介质家族中,菱面体氮化硼(rBN)不仅具有六方氮化硼的优异性能,包括低介电常数和耗散、强电绝缘性、良好的化学稳定性,因此具有相当大的应用前景、高热导率和原子平坦度,无悬空键,而且还具有有用的光学非

存储芯片巨头,秀肌肉!|闪存|美光|海力士|nand_网易订阅

BN势垒位于优化位置的CTL在存储窗口和电荷保持方面表现出明显的优势(www.e993.com)2024年11月15日。当CTL缩小到4纳米时,BN势垒的优势变得更加明显,与相同厚度的纯SiNCTL相比,它具有更大的存储窗口、更好的空穴保持能力和更快的擦除速度,这有助于推进3DV-NAND闪存器件的XY缩放。

快离子导体的一般性理解和共同点

最优BN半径具有本质上低激活势垒的离子导体是非常可取的。sfic通过多面体表面表现出离子传导,导致迁移离子的配位环境发生动态变化。这些转变在扩散途径中产生结构瓶颈(BNs),直接影响与离子迁移相关的活化能垒。与面共享结构相比,边共享多面体通常呈现不太有利的离子传输途径。这是由于一般较小的bn,它们在协调环境中遇到...

拜登政府向国会提交《美利坚合众国政府和新加坡共和国政府关于...

这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。这一设计使晶体管电流每变化一个数量级,所需的电压变化小于1毫伏,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限。此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻...

下一代半导体:二维材料未来7年路线图

多晶和非晶BN(a-BN)作为热管理解决方案的潜力巨大。这些材料可以降低工作温度,并有助于提高设备性能和耐用性。例如,h-BN可以充当热散射粘合层。它降低了工作温度并提高了设备性能。石墨烯具有出色的导电性和抑制表面散射效应的能力。这使得它成为降低互连电阻和提高半导体器件寿命的有前途的材料。随着尺寸缩小...

创新突破!兼具高变形能力与强度的多晶氮化硼陶瓷诞生!

图2.通过SPS制备的TS-BN陶瓷的超高室温变形性和强度。图3展示了TS-BN陶瓷超高变形性和强度的起源。a部分通过计算得出了假想的θ-tBN晶体的滑移能和解理能。结果表明,与hBN相比,引入了扭曲堆叠结构后,滑移能明显降低,而解理能保持不变。这表明了扭曲堆叠对材料变形性能的重要影响。b部分展示了假想θ-tBN晶体的...