安徽长飞先进半导体申请碳化硅场效应晶体管相关专利,提高栅极沟槽...
专利摘要显示,本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆,属于半导体技术领域。碳化硅场效应晶体管包括:沿第一方向层叠设置的漏极层、第一掺杂衬底层、第一掺杂外延层、第二掺杂基区层、第一掺杂层和源极层;两个源极沟槽从第一掺杂层靠近源极层的表面起始,延伸至第一掺杂外延层,源极沟槽的...
"双碳"目标下碳化硅产业处爆发开始阶段 大尺寸化成技术主流
中国网/中国发展门户网讯碳化硅(SiC)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,上世纪90年代只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术。SiC晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。中国科学院物理研究所碳化硅...
天岳先进获得发明专利授权:“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示天岳先进(688234)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”,专利申请号为CN202410579039.7,授权日为2024年8月9日。专利摘要:本发明提供了一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件,涉及碳化硅晶片技术领域。该碳化硅衬底由晶体至...
喜报|让碳化硅疯狂生长-科友半导体晶体厚度突破80mm!
5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶,这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯,厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍,单片成本较原来降低70%,有效提高企业盈利能力。此批次晶体呈现出微...
全球与中国碳化硅晶体生长模拟软件市场发展形势及未来动向2024
全球市场碳化硅晶体生长模拟软件主要分类,其中物理气相法预计2030年达到百万美元,未来六年CAGR为%全球市场碳化硅晶体生长模拟软件主要应用,其中半导体预计2030年达到百万美元,未来六年CAGR为%全球市场碳化硅晶体生长模拟软件主要厂商有FEMAGSoft、Silvaco、STRSoftware、Soft-Impact和BaumDesignSystems等,按收入...
天岳先进申请碳化硅微型晶体颗粒及其加工方法专利,颗粒尺寸更均匀...
天岳先进申请碳化硅微型晶体颗粒及其加工方法专利,颗粒尺寸更均匀集中,表面划痕少,砂浆,晶体,抛光,碳化硅,天岳先进
中国碳化硅晶体行业市场供需态势及投资前景研判
中国碳化硅晶体行业是一个新兴的发展领域,它在近些年得到了极大的发展,以及在国内外的认可。中国碳化硅晶体行业的市场现状及竞争格局如下:一、市场现状中国碳化硅晶体行业的市场现状主要表现在产品的多样性、品种多样性及供应量大等方面。1、产品多样性。目前市场上的碳化硅晶体产品有多种,包括红外碳化硅晶体、高温碳化...
【光电集成】碳化硅衬底降本关键:晶体制备技术
国内的晶格领域半导体公司也在液相法方面取得了进展,成功生产出6英寸碳化硅晶体。在国际上,日本的研究机构和企业,包括名古屋大学、东京大学、住友、丰田、OXIDE等,也在积极投资液相法的研发,表明这一技术在全球范围内正逐步走向前沿。小结当前碳化硅(SiC)晶体的制备效率相对较低,这直接影响了碳化硅衬底的成本,是其...
第三代半导体碳化硅单晶衬底企业 同光晶体完成D轮融资
同光晶体位于第三代半导体产业链的上游材料环节,在碳化硅衬底领域,具有深厚的技术与丰富的量产经验。我们对中国企业在第三代半导体领域构建自主可控的全产业链优势充满信心,对国内优秀企业参与国际市场竞争、重塑半导体产业格局充满期待。值得一提的是,据同光晶体3月透露,同光晶体碳化硅单晶衬底项目基础建设超计划实施,...
物理气相传输系统(PVT):碳化硅晶体的创新生产方式
SiCma系统-创新的碳化硅晶体生产PVATePla公司的SiCma系统(httpspvatepla/products/overview-crystal-growing-systems/)专为通过物理气象传输(PVT)方式生产碳化硅晶体而设计。在此过程中,粉末状的原材料在高温下被加热和升华,最终沉积在特定准备的基片上。通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热,系...