未来产业周报:王慧文担任美团AI“小队长”;全新纳米级3D晶体管面世

2.SK海力士展出16层HBM3E芯片SK海力士展出了全球首款48GB16层HBM3E产品。SK海力士CEO郭鲁正(KwakNoh-Jung)表示,16层HBM市场预计将从HBM4开始兴起,但SK海力士已提前开发48GB16层HBM3E,并计划2025年初向客户提供样品。3.全新纳米级3D晶体管面世11月7日,美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一...

SK海力士揭秘半导体全球生产基地及应用领域

在10纳米(nm)及以下逻辑芯片产能方面,中国台湾的市场份额高达69%;在10纳米至22纳米区间逻辑芯片产能方面,也同样处于行业前列。而在28纳米及以上的逻辑芯片生产领域,则是中国内地的市场份额更为突出。6逻辑半导体:一种被视为电子设备“大脑”的半导体芯片,能够处理信息并进行计算,执行多种任务。??分立、模拟及其...

下一代HBM离不开台积电了?

而SK海力士最新的HBM3E产品将使用其1b纳米制造技术（10纳米级的DRAM节点）来生产，并将MR-MUF技术升级为先进MR-MUF4技术，数据传输速度有望提高到8.0GT/s，带宽提高到1TB/s，SK海力士计划今年实施量产HBM3E产品。制程和封装是两大“拦路虎”随着每一代产品在性能上的飞跃式提升，HBM对制程和封装技术的要求也更加...

6月26-28日,SEMI-e半导体系列峰会(内附第一批参会名单)

海太半导体(无锡)有限公司市场助理沛顿科技(深圳)有限公司总监深圳佰维存储科技股份研发一部技术总监江阴长电先进封装有限公司研发二部总监浙江金瑞泓科技股份有限公司市场安徽易芯半导体有限公司总监浙江海纳半导体有限公司市场总监晶芯半导体(黄石)有限公司公共事务部总监合晶科技股份有限公司生产部副总经理艾德康...

【焦点】万亿晶体管芯片关键;

互操作工艺设计工具包(iPDK)和新思科技ICValidator物理验证运行集可供设计团队处理日益复杂的物理验证规则,并高效地将设计过渡到台积电N22纳米技术。功率是这些万亿晶体管多芯片设计的关键因素。联发科(Mediatek)也在台积电使用生产就绪的人工智能驱动EDA流程开发2纳米芯片,台积电、新思科技和Ansys联合开发的支持CoWoS中间...

纳米压印,终于走向台前?

据了解,佳能最新的纳米压印设备的参数指标不错,套刻精度为2.4nm/3.2nm,每小时可曝光超过100片晶圆,纳米压印技术已经达到3DNAND大规模生产水平和要求(www.e993.com)2024年11月22日。上文也提到,除了铠侠之外,SK海力士也从佳能购买了纳米压印设备,正在进行用于3DNAND型闪存生产工程的测试,这也被认为是业界最尖端制造工艺中使用的EUV光刻机的下...

应用材料公司取得具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体...

金融界2024年10月26日消息,国家知识产权局信息显示,应用材料公司取得一项名为“具有金属氧化物开关的小型存储电容器的薄膜晶体管”的专利,授权公告号CN111771283B,申请日期为2019年1月。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市有风险,投资需谨慎!

华人创立的市值最高公司,科技巨头排队送钱!按吨卖芯片,净利润暴涨...

其中,RTX4090内置760亿个晶体管、16384个CUDA核心和24GB高速镁光GDDR6X显存,在4K分辨率的游戏中持续运行速度超过100FPS,光线追踪技术带来的纤毫毕现得以完美实现。而其于2020年9月发布的GeForceRTX3090产品,内置283亿个晶体管、10496个CUDA核心和24GBGDDR6X显存。

【观察】DRAM专题研究:技术路径、前沿简析、公司跟踪

美光提交了与三星电子不同的3DDRAM专利申请,其方法是在不放置单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。四、主要生产企业简史根据ICInsights报告中的数据显示,在2021年DRAM市场中,三星电子、SK海力士和美光共占据了该市场约94%,其中三星电子的市占比为43.6%,SK海力士为27.7%,美光为22.8%。

全球第二家拥有全线存储芯片晶圆制造能力公司诞生

三星、SK海力士、美光同时拥有3DNAND和DRAM两大存储芯片制造能力。本文主要讲述DRAM技术路线。三星、SK海力士、美光DRAM工艺路线图首先,要注意的是,不同于CPU处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值(7纳米、5纳米),闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法,比如10纳米级别(介于20纳米和10纳米之间)。在存储芯片从...