晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的原因

氧化工艺主要用于在晶圆表面生长一层二氧化硅(SiO2)薄膜,常用的氧化方法包括热氧化法、湿氧化法和干氧化法。边缘效应。在氧化过程中,晶圆边缘的氧化速率可能与晶圆表面中央有所不同。由于晶圆边缘暴露在氧化气氛中的面积相对较大,边缘氧化速率往往更快。这种不均匀的氧化速率可能导致边缘氧化层厚度不均。2.边缘刻蚀...

二氧化硅CAS号:7631-86-9:性质、用途、合成及注意事项

-**玻璃工业**:二氧化硅是制造玻璃的重要原料,其添加可以提高玻璃的硬度、透明度和化学稳定性,广泛应用于建筑玻璃、光学玻璃、电子玻璃等领域。-**硅材料制备**:作为硅材料的主要原料之一,二氧化硅在半导体、光电子器件、太阳能电池等领域具有重要应用,其高纯度的硅材料被广泛用于电子工业。-**填料和增强剂**...

【光电集成】芯片制造工艺流程.图文详解.一文通

??BOE,或缓冲氧化物蚀刻剂,由氟化铵缓冲的氢氟酸制备,用于去除二氧化硅,而不会蚀刻掉底层的硅或多晶硅层。??磷酸用于蚀刻氮化硅层。??硝酸用来蚀刻金属。??用硫酸去除光刻胶。??对于干式蚀刻,晶圆片被放置在蚀刻室中,通过等离子体进行蚀刻。??人员安全是首要问题。??许多晶圆厂使用自动...

北方华创“一种集成电路的制造工艺”专利获授权

公开了一种集成电路的制造工艺,包括:去除晶片上的二氧化硅的方法,该方法可包括:向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体;使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合,生成气态的刻蚀剂;使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反应,并使所述工艺腔室内保持高压状态以提高刻蚀选择比;以及将所述反应的副产物从...

疆亘观察|超轻隔热材料气凝胶

气凝胶通常由二氧化硅、氧化铝、氧化钛等材料制成，广泛应用于隔热、催化、吸附等领域。（图：演示气凝胶的隔热性）气凝胶的性质极低的密度：气凝胶的密度通常在0.1至0.5g/cm??之间，远低于大多数固体材料。高孔隙率：气凝胶的孔隙率可达90%以上，孔径通常在几纳米到几百纳米之间。优异的隔热性：气凝胶具有极...

燕山大学温斌、张利强/香港大学陆洋Matter:破“镜”重圆!

为解决这一问题,燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室温斌教授、张利强研究员联合香港大学陆洋教授团队成功开发出一种用于纳米级玻璃的电子束辅助冷焊技术,这种方法能够在几秒钟内直接融合两个无定形二氧化硅纳米球,同时保持直径小于100nm,甚至实现数十纳米级的精度,其最终分辨率仅取决于纳米粒子尺寸(www.e993.com)2024年11月28日。焊接接头...

电子行业深度报告:先进封装助力产业升级,材料端多品类受益

在超大规模集成电路的制造过程中,溅射工艺作为物理气相沉积(PVD)技术的一种重要方式被广泛应用于电子薄膜材料的制备中。该技术通过利用离子源生成的离子,在高真空环境下经过加速后形成高速离子束流对固体表面进行轰击。此过程中,离子与固体表面原子之间发生动能交换,导致固体表面原子脱离并在基底上沉积形成薄膜。

四氟化碳生产工艺及设计

四氟化碳是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，也可以广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗，太阳能电池的生产，铝合金门窗制造、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态，印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。同时，由于四氟化碳的化学...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

应用:常用于半导体工艺中的薄膜去除、光罩制作等。2.化学刻蚀(ChemicalEtching)机制:基于化学反应,使用化学溶液或气体与材料表面发生反应的过程,溶解特定成分。特点:可以是各向同性或各向异性。各向同性刻蚀在所有方向上均匀进行,而各向异性刻蚀则沿特定晶体方向进行。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

应用:常用于半导体工艺中的薄膜去除、光罩制作等。2.化学刻蚀(ChemicalEtching)机制:基于化学反应,使用化学溶液或气体与材料表面发生反应的过程,溶解特定成分。特点:可以是各向同性或各向异性。各向同性刻蚀在所有方向上均匀进行,而各向异性刻蚀则沿特定晶体方向进行。