鸿海布局第四代半导体跨大步 携阳明交大突破氧化镓技术

鸿海(2317-TW)研究院半导体所,携手阳明交大电子所,双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破,提高了第四代半导体氧化镓(Ga2O3)在高压、高温应用领域的高压耐受性能,为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。第四代半导体氧化镓(Ga2O3)因其优异的性能,被视为下一代半导体材料的代表。它...

浙大自主研发大尺寸氧化镓单晶衬底,为国家重大需求提供有力支撑

在此基础上，为降低氧化镓单晶衬底成本，浙江大学科研团队生长出厚度20mm以上的6英寸氧化镓单晶，在同等直径下单晶晶锭厚度达到国际领先，是导模法（EFG）晶锭厚度的2-3倍，结合超薄衬底加工技术，单个晶锭出片量可以达到原有的3-4倍，单片成本较原来可降低70%以上。浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院金竹研究...

第四代半导体氧化镓蓄势待发!

近期媒体报道,鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作,双方研究团队在第四代半导体的关键技术上取得重大突破,提高了氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能。本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造,并在其上重新生长N型和N+型Ga2O3,形成了PNGa2O3二极体,结果展示出...

新突破!镓仁半导体成功制备3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

导读:2024年7月,杭州镓仁半导体打破技术纪录,成功培育出3英寸的(010)氧化镓单晶基底,达到全球领先,特别适合高效功率器件,已面向科研市场推出相应产品。2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的培育和基底加工方面实现了显著的技术突破。该公司成功制造了3英寸的(010)氧化镓单晶基底,这在国际范围内是已知的最...

异质集成氧化镓:下一代高性能功率半导体器件的新基石

在多项国家科研计划的支持下,西安电子科技大学郝跃、韩根全研究团队(以下简称“团队”)与合作者们深入探索氧化镓半导体器件散热的关键科学问题,基于离子注入-键合剥离技术提出氧化镓异质集成衬底新工艺,并在氧化镓晶圆制备和高性能功率器件全流程工艺上取得重要进展。

中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破

近日,厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓(β-Ga2O3)外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展,为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持(www.e993.com)2024年11月14日。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254nm),简单二元组成,带隙可调,制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域...

这家氧化镓公司获亿元投资!

据悉,此次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人,对晶旭半导体战略投资亿元人民币,助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片的落成达产。公开资料显示,福建晶旭半导体科技有限公司致力于氧化镓基通讯射频滤波器晶圆材料及芯片的研发生产和服务,具备氧化镓半导体外延装备、工艺及芯片自主开发的能力。公司拥...

第三代半导体6英寸生产线最新动态

6英寸三代半导体生产线获突破。近期，多条6英寸生产线取得重大进展，重点研发碳化硅（SiC）、氧化镓（Ga2O3）等第三代半导体材料。NEXIC成功完成其晶圆厂的第一批晶圆9月21日，NEXIC宣布其晶圆厂已成功完成第一批晶圆。NEXIC专注于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术创新和产品开发。该晶圆厂...

中国第四代半导体新突破 6英寸氧化镓单晶实现产业化

3月21日消息,近日,杭州镓仁半导体有限公司宣布,公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室,采用自主开创的铸造法,成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶,并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。杭州镓仁半导体,也成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化...

年产1万片!6英寸氧化镓衬底产线开工

此外,杭州富加镓业是国内目前唯一一家同时具备6英寸单晶生长及外延的公司,开工建设的6英寸氧化镓单晶及外延片生长线也是国内第一条6英寸氧化镓单晶及外延片生长线。氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料,具有宽带隙、高电子迁移率、高稳定性等优点,是第四代半导体材料的代表,在高压功率器件、紫外光电探测等领域有着...