源杰科技2023年年度董事会经营评述

3)异质化合物半导体材料对接生长技术,实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠性速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中,量子阱发光区一般使用铝铟镓砷(AInGaAs)等复合化合物半导体材料,因该材料在空气中易氧化,导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效,极大限制终端室外通信设备的可靠性。公司异质化合物...

镓、锗相关物出口管制触发多股涨停,第四代半导体发展初露锋芒

在第三代半导体发展方兴未艾之际，第四代半导体材料的研制也获得了突破性进展。近日，西安邮电大学宣布，该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓（GaO）外延片；此前在2月底，中国电子科技集团有限公司（中国电科）宣布，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶。尽管氧化镓目前在部分...

剑指第三代半导体?中国宣布限制半导体基础材料出口

卫星电视广播、微波及毫米波通信、无线通信(以手机为代表)及光纤通信等领域;氮化镓作为典型的第三代半导体材料,是目前世界上最先进的半导体材料,是新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,在手机快充、5G通信、电源、新能源汽车、LED以及雷达等方面具有远大的...

对镓、锗出口管制来了!看第三代半导体材料的机会

镓管制包括：金属镓、氮化镓、磷化镓、砷化镓、铟镓砷、硒化镓、锑化镓锗管制包括：金属锗、区熔锗锭、磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗、四氯化锗二、为什么出口管制1.对欧美制裁的反制；2.镓和锗都是战略金属资源，是半导体重要原材料。欧美早就在国内进行了管控，依赖进口。从限制战略资源外流的角度，出口...

...海关官宣:出口管制,涉及两大稀有金属!号称半导体工业新粮食...

对此,商务部新闻发言人7月1日回应称,中方注意到相关报道。近几个月以来,中荷双方就半导体出口管制问题开展了多层级、多频次的沟通磋商。但荷方最终仍将相关半导体设备列管,中方对此表示不满。商务部新闻发言人说,近年来,美国为维护自身全球霸权,不断泛化国家安全概念,滥用出口管制措施,甚至不惜牺牲盟友利益,胁迫拉拢...

韩国稀有金属储备不足 半导体生产关键材料缺货

韩国稀有金属储备不足半导体生产关键材料缺货根据商务部和海关总署最近发布的公告,自2021年8月1日起,我国将对镓、锗等相关物项实施出口管制(www.e993.com)2024年11月25日。这些物项包括氮化镓、砷化镓、铟镓砷、磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。这些物质是半导体生产的关键材料,因此,这一政策引发了海外芯片厂商的囤货行为。据报道,韩国的...

突发!重要半导体材料限制出口!美国愣了!

一类是镓相关物项,包括金属镓、氮化镓、氧化镓、磷化镓、砷化镓、铟镓砷、硒化镓、锑化镓;另一类是锗相关物项,包括金属锗、区熔锗锭、磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗、四氯化锗。镓、锗本身就不仅仅是重要的稀有金属,而且还是重要的半导体材料。更加值得一提的是,镓还有一个别名——“半导体工业新粮食”。

年薪36～50万|香港中文大学(深圳)深圳市半导体激光器重点实验室...

深圳市半导体激光器重点实验室2016年获批,由中国科学院院士唐叔贤院士担任学术带头人,张昭宇教授担任实验室主任,包含20多名科研人员。实验用房已超过1000平,平台设备总额超过2500万。目前设备包含多功能IV液氮变温半导体参数测试平台、高精度铟镓砷光栅红外探测器、超低温多半功液氦闭环循环冷台、傅里叶变换红外宽波段测试...

【科技日报】锑化物半导体:打开红外芯片新技术大门的“金钥匙”

从2005年开始,我国锑化物半导体研究进入快车道。中科院半导体研究所、上海技术物理研究所等研究机构率先突破了锑化镓基砷化铟/锑化镓超晶格焦平面技术,性能基本保持与国际同步的发展水平。中国科学院半导体研究所还研制出多种规格的锑化镓基铟镓砷锑量子阱激光器。

锑化物半导体:打开红外芯片新技术大门的“金钥匙”

从2005年开始,我国锑化物半导体研究进入快车道。中科院半导体研究所、上海技术物理研究所等研究机构率先突破了锑化镓基砷化铟/锑化镓超晶格焦平面技术,性能基本保持与国际同步的发展水平。中国科学院半导体研究所还研制出多种规格的锑化镓基铟镓砷锑量子阱激光器。