ACAIC 2024主题论坛:半导体材料/器件高质量发展与下一代分析仪器...

当前主要材料为非晶半导体,涵盖氧化物半导体,如常用的氧化铟、氧化锌、ITO等,手机中逐渐更多地采用ITO制作器件,其主要特性为带隙宽度大,故而导通电路极低,并且与CPUCMOS后道工艺兼容性良好,可大面积成膜。应用场景涵盖显示、成像、集成芯片计算。在分析半导体迁移率方面,原本看似简单,但由于诸多新型半导体的...

钙钛矿,8大项目签约!_合作_科技_研究总院

据了解,叶志镇院士开辟了浙大半导体薄膜研究方向,首创超高真空CVD技术并在全国推广应用;1986年开创国内半导体ZnO薄膜掺杂研究先河,建立了p型二元共掺原理与技术,国际首次由MOCVD法制成ZnO-LED原型器件并实现室温电致发光;发展了n型氧化锌高导电掺杂技术,突破无铟透明导电薄膜难题,实现了产业应用。此外,在低维ZnO材料可控...

半导体芯片,到底是如何工作的?

前者是一块N形半导体两边制作两个P型半导体(如上图)。后者是一块P形半导体两边制作两个N型半导体。JFET的工作原理,简单来说,就是通过控制栅极G和源极S之间的电压(图中VGS),以及漏极D和源极S之间的电压(图中VDS),从而控制栅极和沟道之间的PN结,进而控制耗尽层。耗尽层越宽...

疆亘观察|跨越时代——第四代半导体潜力无限

摘要第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）材料为代表，第二代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，第三代半导体材料指宽禁带半导体材料，是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表。芯片对运算、功耗、环境的极限需求，对半导体材料的性能提出新的挑战，第四代半导体——超宽禁带半导体：以氮化铝(AIN...

光伏行业深度报告:成结、镀膜、金属化,探究电池技术进步的本质

在同质结电池里,P型区和N型区属于同一种半导体材料,通常用掺杂的方式来形成P-N结。常见的掺杂方法有:一是管式扩散(分低压、常压);二是离子注入再加上退火;三是涂布源扩散(像丝网印刷、旋涂、喷涂、滚筒印刷这些方式)。现在大多是采用低压管式扩散这种方法。磷扩:POCl3分解出的P2O5会沉淀在硅片表面,P2O5和...

芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网

方法当然是有的(www.e993.com)2024年11月25日。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。半导体的萌芽我们将时间继续往前拨,回到更早的18世纪。1782年,意大利著名物理学家亚历山德罗·伏特(AlessandroVolta),经过实验总结,发现固体物质大致可以分为三种:第一种,像金银铜铁等这样的金属,极易导电,称为导体;...

氧化锌可转化为稳定p型材料

氧化锌可转化为稳定p型材料据物理学家组织网4月24日(北京时间)报道,美国研究人员首次通过引入缺陷复合物,使用氧化锌成功制造出稳定的p型材料。新研究使氧化锌可被广泛用来制造性能优异的紫外激光器、用于传感器和饮用水处理中的发光二极管(LED)设备以及新的铁磁设备等,破解了困扰材料学界的一个长久的难题。

ACS NANO:镁掺杂氧化锌中稳健可翻转极化及其耦合电学特性

通过将PFM相位图中浅色畴的畴壁轮廓叠加在电流图上(图2e),其晶粒边界相比其内部电导率较低。晶粒边界处的低电导性与向上弯曲的能带一致,因此在边界处发生电子耗尽(对于从霍尔测量中确定的n型氧化锌薄膜而言)。其次,电导性的空间分布与纳米晶粒的极性或者说是纳米晶粒的垂直极化方向密切相关。

研究|具有超低热导率的宽直接带隙半导体单层碘化亚铜(CuI)

此外,氧化锌(ZnO)也是一种广泛应用于透明电子领域的n型半导体,其直接宽频带隙可达3.4eV。在透明电子的潜在应用中,n型半导体的有效质量通常较小,而p型半导体的有效质量通常较大。然而,人们发现立方纤锌矿(γ-CuI)中的块状碘化铜是一种有效质量小的p型半导体,具有较高的载流子迁移率,在与n型半导体耦合的应用中...

第四代半导体氧化镓的机遇与挑战

因为材料属性的原因,有专家认为用氧化镓无法制造P型半导体。但京都大学的ShizuoFujita与Flosfia合作在2016年成功开发出了具有蓝宝石结构的GaO常关型晶体管(MOSFET)。图:常关GaOMOSFET的IV曲线(FLosfia官网)常关型MOSFET的第一个α相GaO由N+源/漏极层、p型阱层、栅极绝缘体和电极组成。从IV曲线外推的栅极...