【受阻】进军印度受阻,高塔半导体重新提交晶圆厂建设申请

通威股份工作人员表示,公司产能满足满足硅料行业从P型向N型的转型需求,同时具备一定成本优势下,公司持续进行产能建设和扩张。此外,本次建设产能或将在2026年得到释放,或将对产业链价格产生进一步影响,与此同时,目前硅料价格接近前期底部,公司签约出货库存都处在正常水平。尽管当前光伏产业处于低点,但行业巨头纷纷推出巨...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

...&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p型和n型行为

对于典型的半导体如硅(Si)和氮化镓(GaN),正型(p型)和负型(n型)导电性是通过将电子受体和电子供体元素掺入晶体格中实现的。对于新兴的卤化物钙钛矿半导体而言,尚未发现可以在保持高光电性能的同时可靠控制电荷导电行为的机制。在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了...

刘冰冰教授、李全军教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n...

图1:通过压力抑制Nb原子沿着b轴的偏心,导致NbOI2发生C2到C2/m的半导体-半导体相变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。吉林大学超硬材料国家重点实验室岳磊博士、李宗伦博士(现散裂中子源博士后)为论文共同第一作者,通讯作者为吉林大学超硬材料国家重点实验室的刘冰冰教授、李全军教授。该研究得到国家重点研...

东微半导申请半导体超结功率器件专利,将形成p??n结二极管结构

所述p型柱顶部的p型体区;位于所述p型体区内的n型源区;位于所述p型体区内的钳位栅,所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离;与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层,所述源极金属层与所述p型体区之间形成p??n结二极管结构;位于所述n型半导体层之上的控制所述p型体区内的电流沟道的...

半导体芯片,到底是如何工作的?

一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。

首次!有机半导体光催化掺杂

图4:光催化n型掺杂以及光催化的协同的p/n掺杂。最后,研究人员研究了有机半导体的光催化还原(n-掺杂)以及协同的光催化p/n掺杂。作者使用三乙胺作为弱n型掺杂剂,在光照下转化光催化剂至还原态,之后光照继续激活至活性更高的激发还原态,实现对n型半导体BBL的有效掺杂。作者进一步将三乙胺替换成p型半导体P(g42T-...

拉普拉斯:被专利战围剿的隆基与晶科“影子股”

光衰、理论转化效率极限低等诸多因素让P型电池的边际贡献在不断削弱,而技术突破带来的综合性能更优的N型则成为厂商竞争的新舞台。2021年开始,以晶科为代表的头部企业率先投建N型产能;随着电池转换效率世界纪录被一次次刷新,行业性的、集中式的大规模资本开支呼之欲出。作为“卖铲人”之一的拉普拉斯迎来了周期红利...

中国科大在激光微纳制造领域取得重要进展

在此基础上研究团队成功实现了二极管、忆阻器和物理不可复制加密电路的一体化激光直写(图2)。该技术与传统的喷墨打印等技术兼容,并且有望推广至多种P型、N型半导体金属氧化物材料的打印,为复杂、大尺寸、三维功能微电子器件的加工提供了系统的新方法。图2:基于激光打印技术成功实现了忆阻器及物理不可复制加密电路...