印度媒体报道中国光刻机,印:20年前的技术,印遭各国网友嘲讽
光刻机技术的突破,不仅是中国科研人员夜以继日努力的结果,更是国家战略布局的重要体现。科技的发展需要的是实实在在的投入与坚持,而不是空洞的口号和无谓的嘲讽。回想历史,中国在芯片领域的发展可谓波澜壮阔。从上世纪50年代开始,中国就已踏上半导体研究之路。尽管经历了无数波折,但每一次挫败都为未来的成功铺...
美国警报拉响!65nm国产光刻机成功量产,推动8nm芯片多重曝光!
而这次中国的65nm光刻机量产,标志着芯片制造上迈出了关键的一步。更令人兴奋的是,多重曝光技术的应用,让8nm芯片的生产也变得可行。这一进展不仅满足了国内市场的需求,还在国际竞争中为中国争取了一席之地。特别是在如今国际形势下,芯片的自主生产能力已经成为国家安全和发展的重要保障。光刻机的国产化,绝对是技...
High-NA光刻高成本的解药?浅谈Intel 14A工艺要用的DSA技术
当时DUV多重曝光、更短的波长(157nm)、DSA都在其中。当然现在我们知道,最终多重曝光胜出,往后EUV也大规模量产了。DSA技术随后就限定在一些容错率更高的niche应用领域,不再出现在尖端制造工艺的技术列表内。典型的像是图像传感器,索尼过去几年就一直在用DSA技术。SemiconductorEngineering对于DSA的解释是这样的:DSA是...
首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”
DUV光刻机想要生产更先进制程芯片,除了浸没式外,就必须突破多重曝光技术的瓶颈。多重曝光将原本一层光刻的图形拆分到多个掩模上,利用光刻Litho和刻蚀Etch实现更小制程。1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光...
华为又出新技术——四重曝光技术,未来极具潜力的三大概念股!
SAQP技术是一种多重曝光芯片制造工艺,其核心在于将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成。具体来说,该技术的实现步骤包括:1.在待刻蚀层的表面依次形成多层结构,包括抗反射层和图案化硬掩膜层等。2.对各层进行光刻和刻蚀处理,形成多层次的图案化结构。
华为新题材!四重曝光技术概念股梳理(附:股票名单)
2、华为重磅手机曝光,华为MateXT非凡大师即将登场,大概就是三折屏了(www.e993.com)2024年10月23日。。。而结合华为非凡大师的超高端品牌定位,以及过往产品带来的顶配科技创新和技术,我们有理由相信,这款手机采用的是高端芯片。——四重曝光工艺专利华为技术有限公司公布了一项名为“自对准四重图案化(SAQP)半导体装置的制作方法以及半导体装置”的...
全新国产DUV光刻机曝光:“套刻≤8nm”是个什么水平?
“如果采用多重曝光,比如双重曝光,那么所需要的overlay就要砍半,所以现有的单次曝光55nm水平,如果要做双重曝光,那么至少需要55÷5÷2=5.5nm的overlay,四重曝光overlay还要再砍一半,那就是需要2.75nm的overlay。因此,8nm的overlay是没有办法来做多重曝光的。”该光刻技术专家对芯智讯进一步解释道。
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不过需要注意的是,套刻精度为“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺约1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片,大致相当于20年前ASML的1460K。28nm虽然不是特别先进技术,但意义依然重大,因为这是芯片中低端和中高端的分界线,目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外,其余的工业级芯片大多都是...
国产光刻机新进展:能多层曝光造8nm芯片
如果使用多重曝光技术达到极致状态,理论上有可能制造出8纳米(nm)级别的芯片。但是,这并不代表实际上就能实现这样的生产,因为还有成本和良品率的问题需要考虑。在实际操作中,多重曝光可能会增加生产成本,并且可能降低产品的质量或数量,也就是良品率。国产光刻机主要采用的是深紫外线(DeepUltraviolet,DUV)...
3纳米制程芯片为什么需要EUV光刻机和多重曝光技术?
提升设备性能:使用更高性能的EUV光源和曝光系统,进一步提高分辨率和减少误差。总结,EUV多重图案技术是实现3纳米制程中的关键手段之一,但它也带来了显著的挑战。这些挑战包括工艺复杂性、对准精度要求高、成本增加以及光学效应的控制。通过改进对准技术、优化工艺流程、开发新材料和提升设备性能,我们可以更好地应对这些挑战...