闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。同时,在业界,根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同,和选用的颗粒种类不同,3DNAND颗粒又可以...

国产NAND闪存突围,美国封锁下力压美光、三星!

在2022年，中国的长江存储（YMTC）凭借其创新的Xtacking3.0技术，在NAND闪存领域掀起了不小的波澜。长存成功推出了232层堆叠的TLC3DNAND，这一成就可谓是石破天惊。回想2016年，长江存储刚刚起步，与三星、美光、SK海力士等巨头相比，简直沧海一粟。就在那时，竞争对手们尚未实现232层技术的量产，连产品都仅停留...

突破美国封锁,国产NAND闪存,2年后再次超过美光、三星?

基于这些颗粒,业办人士推测,长存已经研发出了晶栈Xtacking4.0技术,并依托该技术使得其3DNAND闪存实现了300层以上的堆叠技术,并对外供货了。很明显,长存在努力了2年之后,终于又再次突破封锁,实现了对三星、SK海力士、美光等的超越,接下来希望长存继续努力,扩大产能,利用技术优势,将NAND闪存的价格打下来。就像2023...

美光量产第九代NAND闪存技术产品

经济观察网讯据Micron美光科技微信公众号7月31日消息，存储芯片厂商美光宣布，其采用第九代NAND闪存技术的SSD固态硬盘产品已开始出货，成为了行业内首家实现这一里程碑的厂商之一。美光G9NAND技术具备高达3.6GB/s的数据传输速率，提供卓越的数据读写带宽。该项NAND新技术为人工智能（AI）及其他数据密集型...

存储亮剑!NAND技术多点突破

群联表示PS5029-E29T是一款针对最新NAND闪存技术优化的PCIe4.0×4SSD主控,E29T采用DRAM-less设计,基于台积电12nm工艺,搭载ARMCortexR5CPU核心,拥有4条闪存通道,支持16CE,兼容3600MT/s闪存接口速率,最大容量可达8TB。性能方面,基于E29T主控的固态硬盘顺序读写分别可达7400MB/s和6800MB/s,随机读写性能也均...

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料:可降低层高和延迟

据媒体报道,三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中,巧妙地在金属化工艺环节引入了钼(Mo)作为替代材料,与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料(www.e993.com)2024年11月22日。面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限,三星前瞻性地转向钼,这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减,还能显著降低NAND闪存的响应时间,为数据存储领域带来...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。

AI领域新革命:三大技术挑战NAND Flash霸权!

在AI优势的军备竞赛中,芯片制造商们试图在GPU领域削弱英伟达公司NASDAQ:NVDA,并在数据存储存储器领域中挑战美光科技NASDAQ:MUNAND闪存存储器的主导地位。计算机和技术领域始终在不断发展,今天的赢家可能在一瞬间成为昨天的输家,不是故意的。以下是挑战AI中NAND闪存存储技术主导地位的3项即将到来的颠覆性技术。

硬件编年史:从小到更小,从大到更大丨硬盘风云70年

在开启SSD时代的介绍之前,我们来简单回顾一下SSD实现原理,SSD使用闪存(FlashMemory)来存储数据,而不是依赖于机械旋转的磁盘。固态硬盘使用一种叫做非易失性闪存的存储介质,通常是NAND型闪存。与易失性存储(如RAM)不同,NAND闪存即使在断电后也能保持数据不丢失。

三星启动其首批第九代 V-NAND 闪存量产

三星启动其首批第九代V-NAND闪存量产IT之家4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,三星第九代V-NAND的...