美国施压下的中国反击:7纳米芯片技术取得重大进展!
9月14日,工信部公布了国产氟化氩光刻机,光源193纳米,能实现分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm,主要应用于制造7纳米及以上工艺节点的芯片。此外,哈工大公布的“高速超精密激光干涉仪”研发成果,被认为是解决7nm以下光刻机难题的关键技术之一,长春光机所也在EUV光源系统上取得突破。这一切都表明,中国在光刻机技术方...
中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗
此次推出的65纳米光刻机,虽然与全球最顶尖的7纳米光刻机仍有差距,但已经能够满足大部分工业芯片的生产需求。尤其是在汽车制造、家电智能化等领域,28纳米及以上的芯片需求庞大,而中国自主研发的光刻机正好填补了这一市场空白。更重要的是,随着国产光刻机的不断改进,中国芯片产业逐步摆脱了对外技术的依赖。这不...
中国成功研发7纳米芯片,微电子领域的战争
面对外部压力,中国加大自主研发力度,坚定不移地实现半导体产业自主化。经过不懈努力,中国成功突破了7纳米芯片技术壁垒,这不仅是技术上的胜利,也是对西方科技制裁的有力回击。尽管媒体对美国技术制裁进行了正面报道,但中国半导体产业基本未受影响,并在自主制造方面取得了长足进步。中国的科技进步坚定了自力更生的决...
科技企业高管说:我国芯片技术能解决7纳米已很了不起,3/5纳米不容易!
全球制造芯片技术最先进的仅有三星和台积电,美国的Intel曾是全球芯片制造技术领导者,不过从2014年量产14纳米之后,Intel就放缓了创新的步伐,而三星和台积电则保持了1-2年升级一代芯片制造技术的步伐,从而超过了Intel,成为芯片制造技术的领导者。台积电又稍微领先三星一筹,不过强如台积电以现有的DUV光刻机也只是做到7纳...
...理论和工艺实用指南 》美国UIUC何伦亚克微纳米技术实验室的...
谐振腔以及器件和设备中使用的部件;晶体管和集成电路,包括双极型晶体管、结型场效应晶体管和金属??半导体场效应晶体管;芯片制造的主要工艺,包括光刻、金属化、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热氧化和注入等;工艺设计和解决问题的技巧,例如如何设计干法刻蚀配方,以及如何解决在博世工艺中出现的...
全球芯片关键技术研究最新进展
锂光子芯片展现出与铌酸锂薄膜相当的电光调制效率;同时,基于钽酸锂光子芯片,该研究首次在X切型电光平台中产生了孤子光学频率梳,结合电光可调谐性质,有望在激光雷达和精密测量等方面实现应用(www.e993.com)2024年10月19日。当前,该研究已攻关8英寸晶圆制备技术,为更大规模的国产光电集成芯片和移动终端射频滤波器芯片的发展奠定了材料基础。
光刻技术的过去、现在与未来
除了半导体制造,光刻技术在其他领域的应用也十分广泛。在光学领域,它为制造精密光学元件提供了必要支持,确保光学设备的高精度和稳定性。在生物医学领域,光刻技术用于制造生物芯片和微流控系统,支持细胞分析、药物传递和疾病诊断。此外,在纳米技术和纳米器件制造中,光刻技术也被广泛应用。
深度丨2纳米变成新战场
此外,三星在3纳米制程上已经采用了GAA架构,这为其在2纳米技术上的进一步发展奠定了基础。所以相对于台积电,三星似乎在新结构方面会更有经验,这也成为三星在2纳米制程中的节点的优势之一。三星还通过提供全面的芯片制造服务,包括从芯片设计到生产和先进芯片封装的一站式服务,来吸引客户。
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家?据传苹果有望最先采用
此外,台积电将推出几项新的3纳米制程的改进版本。台积电已经推出了增强版的基于3纳米工艺的N3E和N3P芯片,还有其他芯片正在研发中,如用于高性能计算的N3X和用于汽车应用的N3AE。更有传言称,台积电已经开始研发更先进的1.4纳米芯片,预计最早将于2027年推出。据悉,苹果还希望预定台积电1.4纳米和1纳米技术的初始产能。
没有芯片就没有中国未来的现代化
IBM的“后硅时代”预测,碳纳米管技术的优势在于材料结构和物性优势,使碳纳米管晶体管实现高速、低功耗。更重要的是,碳纳米管的低温制备使得3D芯片制备成为可能,而3D芯片在结构理论上可将芯片的性能提高成百上千倍,特别是对于AI计算,最高可实现1900多倍的性能提升。