重大突破!我国半导体核心技术打破垄断,仅次光刻重要环节被攻克
因此,这次的成功不仅意味着我国已全面掌握了功率半导体高能氢离子注入的核心技术和制造工艺,还弥补了国家半导体产业链中一个重要环节的空缺。换种说法,我国在氢离子注入技术方面的半导体行业,已不再畏惧外国的垄断和压制。尽管如此,半导体行业的进步是一个复杂而漫长的过程,且需要多个领域之间的协同发展与创新。氢离...
我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断
核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇外国关键技术及装备封锁的不利条件下,坚持自力更生,自主创新,打造新质生产力,在不到三年的时间里,突破多项关键技术壁垒,实现了100%自主技术和100%装备国产化,建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺...
4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用
快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。这也是我国在这一领域的首次突破,打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。沟槽型碳化硅MOSFET芯片因其卓越的性能,如更低的导通损耗、更好的开关性能和更高的晶圆密度...
我国半导体制造核心技术突破
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇外国关键技术及装...
我国半导体制造核心技术突破 仅次于光刻的重要环节打破国外垄断
国家电投表示,这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产化奠定了基础。据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关...
打破国外垄断,我国拿下一项“制芯”关键技术
“中国从不缺乏芯片技术,也不缺乏芯片用材料,缺乏的是芯片链条上的企业拧成一股绳儿的聚合力,缺乏的是企业向深处钻研的耐力(www.e993.com)2024年9月18日。”利用26年探索终于磨砺出自己的“制芯”关键材料。唐一林认为:“我们之所以能研发成功,就是因为这个科研团队有一股没有突破绝不回头的耐力。这可以为任重道远的中国芯片科研提供些许参考。
比芯片难?一旦被西方垄断后果不堪设想,好在中国已突破关键技术
虽然我国在光刻机领域的研发较晚,但不可否认的是,中国的速度是最快的。早在这之前我国就掌握了关键性技术,对于我们来说,何时能够研发出光刻机,只不过是时间问题。除了在芯片领域,中国核武器也是取得了新突破。回顾一下,中国合成金属氮之后,美国是最担忧的一个国家。要知道美国在核武器领域的发展可谓是名列前茅...
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
据南京发布近日消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示,碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一,具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率...
央视报道:第三代玻璃穿孔技术获突破,我国芯片制造能否换到超车?
近日,央视报道揭示了一项或将重塑全球芯片产业格局的重大突破——我国芯片产业正在全力研发第三代“玻璃穿孔技术”,这项技术的横空出世,预示着我国芯片制造业有可能实现跨越式发展,从激烈的国际竞争赛道中换道超车,挺进世界领先行列。长期以来,芯片制造的核心材料非硅晶圆莫属。然而,科技日新月异的发展催生了一场颠覆...
重磅发布 | 跨越“中等技术陷阱”11篇研究成果在《中国科学院院刊...
近年来,美国推进对华的科技封锁和技术“脱钩”,其高科技出口管制在范围、强度和影响上都达到历史新高。客观地看,尽管我国在很多领域实现了技术突破,但依然有许多核心技术及关键零部件对外依赖度非常高。美国的科技围堵对我国的科技创新和发展能力产生负面的影响,我国跨越“中等技术陷阱”的外部风险逐渐加大。