外媒关注中国突破光刻机限制,承认中国科技实力的同时却满是酸味
从外媒对于中国国产光刻机进步的关注,我们也的确看到了他们认可中国在国产芯片制造设备领域所取得的成就。对于中国官宣可以制造8纳米以下的光刻机设备,显然,这就意味着中国在美国全面围堵和封锁下,已经突破了卡脖子技术限制。虽然8纳米的光刻机设备并没有达到世界顶尖,但是这足以解决中国在高端芯片制造领域的设备问题...
全球大国的宝座交椅,向光刻机的纳米技术精进,硬科技让大国崛起
光刻机技术已走过了五个重要的里程碑阶段。中国科学院上海光学精密机械研究所最近在光刻机的核心图形筛选技术上取得了显著突破。虽然我国在光刻机领域的技术积淀和人才力量相较于国际领先水平还有所欠缺,难以直接生产顶尖的光刻设备,但我们已经在中低端光刻机的制造上打下了坚实基础。据上海微电子设备有限公司透露,...
中国急需攻克5项尖端技术,一旦突破,将无惧任何国家垄断!
据新浪财经报道,多方半导体技术分析显示,我国或能实现并量产5纳米制程。此外,多家芯片厂商已具备设计这类芯片的能力,代工厂商也能用DUVet光刻机提升7纳米产能,代价是5纳米芯片的制造成本比EUV贵20%。前台积电研发处处长杨光磊也说过,“中国在半导体产业能自给自足”。此外,中国在国产离子注入机...
工信部推广国产氟化氩光刻机:分辨率≤65nm
而观察者网注意到,在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》电子专用装备目录下,集成电路设备方面:氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。工信部网站《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》
华裔技术专家、浸润式光刻机之父:大陆可自主研发5纳米芯片,美国拦...
近日,据彭博社报道,早已退休的“浸润式光刻机之父”、台积电前研发副总林本坚(BurnJ.Lin),在接受采访时罕见地表示,美国无法阻止中国大陆公司在先进制程芯片技术方面取得进步,并表示中国应该能够利用现有设备继续推进到下一代的5nm制程工艺。一向与大陆少有往来也很少发表相关评论的林本坚,这一发言让外媒也感到惊讶...
中国急需攻克5项顶尖技术,一旦突破,将不会再被美国卡脖子!
突破光刻机技术,对中国芯片产业的发展意义重大,一旦攻克这一"卡脖子"难题,中国将彻底掌握芯片制造的全部核心环节,真正做到自主可控,不再被技术封锁所威胁(www.e993.com)2024年9月21日。这不仅关乎国家的信息安全,也将极大提升中国在未来科技发展中的话语权和主导权。陷入"被卡脖子"境地,注定了中国在芯片产业的被动地位,只有自主创新、自力更生...
光刻机技术进一步突破?概念股全面爆发!这些核心公司有望受益!
012月29日,芯片半导体板块全面爆发,光刻机方向领涨,当日大涨7%。02国内自研EUV光刻机技术进一步突破,可能在2025年中芯国际开始测试,2027-2030年可能在量产上取得进展。03中国芯片企业福建晋华集成电路有限公司,历时五年在美胜诉,标志着我国在半导体设备制造领域的实力得到了进一步提升。
中国芯片加速5纳米量产,以现有设备实现先进工艺的突破
据了解北京一家企业正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术,预计很快就能实现量产,该工艺的核心技术是自对准四重图案化(SAQP)技术,类似技术曾被台积电用于7纳米,Intel也曾试图利用该项技术。Intel是最早考虑多重曝光技术的,2014年它就已量产14纳米工艺,2016年ASML还没量产EUV光刻机,Intel就试图利用DUV光刻...
东海研究 | 深度:光刻机:国产设备发展任重道远,零组件企业或将...
根据中国国际招标网信息,半导体设备招标中,刻蚀、沉积等核心设备的国产化率获得了较大的提升,核心在于技术上我国相关企业已经逐步追赶上海外企业;但光刻机作为核心设备,国产化率不足3%,核心原因在于零组件供应与整机技术与海外差距较大,这样的技术发展需要长达5-10年甚至更久远时间才能逐步突破。我国2023年进口光刻机...
运营商财经网康钊:中国攻克了8纳米光刻机技术?
近日,工信部印发了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,其中显示中国已攻克氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm,这让网友欢呼雀跃,因为这是中国光刻机技术领域里程碑式的重大突破。这是中国首个自主知识产权的新型光刻机,其中的套刻是光刻机的一个指标,是多重曝光的意思。氟化...