加速布局电源类芯片新赛道,芯天下开启“闪存芯片+”模式

行业周知,代码型闪存芯片通常和电源管理芯片以及MCU搭配使用形成一个完整的功能单元,其中闪存芯片存储运行代码,电源管理芯片管理电源供电,MCU控制程序运行。因此,芯天下代码型闪存芯片客户大部分都有电源管理芯片和MCU的需求。芯天下电源事业部总经理王兵接受集微网采访时指出,由于主板上最大的价值量产品在于SOC芯片、存...

UFS 4.0主控芯片汇总,驱动生成式AI设备的存储引擎

通过采用更先进的工艺技术以及NAND闪存架构,这些主控芯片能够为设备提供更高的性能,满足未来AI时代的严苛需求。

中国用不了!新蚀刻技术支持400层先进3D NAND闪存芯片

东京电子最近宣布自己旗下的等离子体蚀刻系统的开发和制造基地,已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术,用于堆叠超过400层的先进3DNAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围,从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。目前国内长江存储在有先进设备的支持下,可以做到232层堆叠,而东京电子新的蚀刻技术,则...

美国和日本即将达成协议,限制对华芯片技术出口

研究人员采用了多种加工技术,包括光刻、电子束蒸发、热原子层沉积、聚苯乙烯辅助转移技术和退火工艺,成功运用二维二硫化钼材料制造超快速闪存芯片,成功集成了1024个设备,良品率超过98%。这种新方法将闪存通道缩小到10纳米以下,提供非易失性信息存储和强大的耐用性,有望推动超快闪存的规模化商业应用。美国英特尔公司计划...

德明利:自研主控芯片和低功耗技术等形成完整存储应用方案,是公司...

公司回答表示：公司作为专业的存储控制芯片及解决方案提供商，持续聚焦存储主业，加快完善产品、客户渠道、研发等各方面布局，积极拓展原有业务，不断打开成长空间，更多经营业绩与产品情况请您关注后续的信息披露。公司闪存模组以自研主控芯片为核心，基于主控芯片开发自研纠错算法、低功耗技术等形成完整存储应用方案，自研...

复旦大学研究成果:闪存芯片突破8nm,速度提升1000倍

但复旦大学的研究表示，是可以不使用EUV这种光刻机，也能够进入到15nm之下，达到8nm这样的工艺的(www.e993.com)2024年11月25日。超快闪存集成工艺和统计性能不仅如此，这种闪存芯片，采用全新的二维半导体结构，比现有的闪存速度，快1000倍，实现了纳秒级超快存储闪存技术。资料显示，在原子级薄层沟道支持下，这种8nm工艺的闪存芯片，具备20纳秒超...

兆易创新超高速8通道车规闪存芯片 GD25/55LX 系列丨兆易创新确认...

申请技术丨兆易创新超高速8通道车规闪存芯片GD25/55LX系列申报领域丨车规级芯片独特优势:?1.8V256Mb~2Gb?八通道DTRSPI接口,兼容单通道、八通道SPI指令集?完全兼容JEDECxSPI(JESD251)标准?极高的读取性能,数据吞吐率高达400MB/s?支持XIP(Execute-In-Place)?支持DQS和DLP功能,有助于高速系统优化...

在美起诉半导体巨头,这家中国芯片公司什么来头?

存储芯片(又称半导体存储器),是以半导体电路作为存储媒介的存储器,它是智能手机、PC、AI服务器等消费电子核心支撑硬件。存储芯片分为闪存和内存两种。闪存主要包括NANDFlash、NORFlash,而内存主要为DRAM。在存储芯片领域,三星、美光、SK海力士号称“三巨头”,彭博数据显示,2021年三星电子、SK海力士和美光科技在全球...

中国存储技术重大突破!

非易失性存储器是指即使在存储器芯片的电源被关闭时,也可以保存数据的计算机存储器。常见的非易失性存储器包括闪存(FlashMemory)、只读存储器(ROM),以及一些新技术如磁性随机存储器(MRAM)、铁电随机存储器(FeRAM)、相变存储器(PCM)等。其中闪存是目前占主导地位的非易失性存储器技术,但在速度方面受到限制。

存储芯片,中国什么时候能成?

在非易失性存储器领域,持续涌现新技术,目前技术成熟且拥有一定规模市场的外存共有三种:NANDFlash、NORFlash、EEPROM。其中,市场规模最大的是NANDFlash。NANDFlash属于数据型闪存芯片,可以实现大容量存储、高写入和擦除速度,多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术,依次代表每个存储单元...