重大突破!华科人攻克芯片光刻胶关键技术

团队在电子化学品领域深耕二十余载,立足于关键光刻胶底层技术研究,致力于半导体专用高端电子化学品原材料和光刻胶的开发,并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术,同时为材料的分析与验证提供全面的手段。团队负责人表示:“以光刻技术的分子基础研究和原材料的开发为起点,最终获得具有自主知识产权的配方技术...

从芯片设计到制造、封测,都是自己做

历经4年时间，长晶科技向市场推出了晶圆级封装MOSFET，成为国内首家打破垄断、完成国产替代的高科技企业。该款产品也成为国内功率器件领域实现进口产品规模化替代的代表性产品。“仅用半年时间，这个小小的芯片便收获了超亿元的销售额。目前，公司正在研发迭代下一代技术，进一步提升器件性能，实现‘弯道超车’。”长晶科技...

中国芯片产业亟需顶级制造企业 促进产能升级与技术突破

而国内的光刻机技术信息表明，目前处于65nm的水平，属于干式DUV光刻机，接下来还需要逐步技术迭代才能研发出浸润式DUV光刻机，再到达EUV光刻机，毫无疑问，中国在这一领域的技术进步尚需时日。综上所述，当前中国芯片产业急需的是台积电、三星等顶级晶圆制造公司，还有ASML这样的高端半导体设备企业，尤其在光刻机领域。

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

在杨光磊看来,只要多次“曝光”技术,国产光刻机制造8nm芯片的可能性逐渐增强。华为的清醒背后但目前华为却有不同的观点,华为轮值董事长徐志军首次公开承认,中国芯片制造能力有限,阻碍了开发先进计算解决方案的能力。这凸显了华为在追求更强大计算能力方面面临的重大瓶颈。徐直军在华为全联接大会2024上强调,人工智能...

荷兰光刻机巨头CEO:美对华出口限制将推动中国成功研发自己的技术

环球网报道记者祁玥据彭博社报道,荷兰光刻机巨头阿斯麦公司首席执行官温宁克当地时间25日在荷兰维尔德霍芬的公司总部接受采访时表示,美国主导的针对中国的半导体出口管制措施,最终会促使中国在高端芯片制造设备领域成功研发出自己的技术。彭博社报道称,温宁克表示,中国的半导体公司“必须参与全球竞争”,所以他们才...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程(www.e993.com)2024年11月9日。而光刻机历经五代衍变的过程中,缩短光源波长成为其性能突破的关键。20世纪六七十年代,接触式光刻技术被用于IC制造的初期,采用可见光作为光源;80年代改用高压汞灯产生的紫外光(UV),g线和i线是紫外光中能量较高的谱线,365nm的i-ine可将最高分辨率推...

为什么中国大陆,还制造不出5nm、3nm的先进芯片?

所以,目前在制造先进芯片方面,中国大陆不仅受限于材料、设备,还有技术本身,也需要磨炼,这是一个长期的、不断前进的过程。基于当前外部形势,中国大陆想要制造出5nm这样的芯片,需要国产产业链都达到5nm节点,这个过程会比较漫长,大家要有耐心一点。

里程碑突破:国产大芯片光刻机首度交付,挑战国际巨头ASML

近期，科技界的焦点聚集在了国产28纳米光刻机的成功交付使用。这一事件对于国内半导体产业而言，无疑是划时代的里程碑，标志着首台国产大芯片光刻机的诞生。光刻机，作为集成电路制造的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的性能和生产效率。过去，高端光刻机市场长期被国外巨头垄断，这一局面如今得到了改变。国产28...

4年自主研发!中国实现芯片制造关键技术首次突破:一年内投入应用

快科技9月3日消息,据南京发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京),成功攻克沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。

重磅!我国首次突破芯片制造关键技术!

据南京市政府发布公告,经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心(南京)成功攻关沟槽型碳化硅(SiC)MOSFET芯片制造关键技术。这是我国在这一领域的首次突破,打破了平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。国家第三代半导体技术创新中心(南京)。图源:江宁发布。