钻石芯片,技术实现|电阻_新浪财经_新浪网
电子密度在300K时约为1010cm-3,在573K时增加了四个数量级,ND约为1017cm-3(图S5,支持信息)。补偿受主浓度NA约为2×1016cm-3。在室温下,通过霍尔效应测得的电子迁移率约为623cm2V-1s-1。轻掺杂的n-层即使在573K时也表现出212cm2V-1s-1的高电子迁移率(图S6,支持信息)。轻掺杂n-层...
常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层
(a)为参考平面晶体管,(b)为凹槽栅晶体管,(c)为带电流分布层的凹槽栅晶体管。(d)为硼掺杂浓度分别为5×1015cm??3、1×1016cm??3、5×1016cm??3、1×1017cm??3时的电阻率随温度变化。Vth与Tp在不同Cp下的变化如图2a所示。对于特定的Cp,随着Tp的增加,Vth从负值(常关操作)过渡...
钻石芯片,首次实现|栅极|电阻|金刚石|外延层|mosfet_网易订阅
电子密度在300K时约为1010cm-3,在573K时增加了四个数量级,ND约为1017cm-3(图S5,支持信息)。补偿受主浓度NA约为2×1016cm-3。在室温下,通过霍尔效应测得的电子迁移率约为623cm2V-1s-1。轻掺杂的n-层即使在573K时也表现出212cm2V-1s-1的高电子迁移率(图S6,支持信息)。轻掺杂n-...
上海光机所在可应用于近红外激光的Nd:CeF3晶体研究中取得进展
然而,由于Nd3+离子半径较大,分凝系数极低,导致其难以在现有基质中实现高浓度掺杂,限制基于Nd3+离子的近红外激光的进一步发展。研究团队使用带保护气氛的坩埚下降法,生长掺杂浓度为0.5at.%、尺寸为Φ20mm×35mm的Nd:CeF3晶体,并对其进行偏振光谱及热学性能测试。结果表明,该晶体σ偏振在1070nm处具有2.53...
新源汇博光电荣获“维科杯·OFweek2023年度最佳激光元件、配件及...
获奖产品:Nd,Ce:YAG浓度渐变激光晶体该产品在晶体内部实现了浓度渐变,采用泵浦端低掺杂浓度、输出端高掺杂浓度。在保留Nd,Ce:YAG高输出的同时保证了输出光束的质量,以及在高重复频率下改变了原有Nd,Ce:YAG能量衰减快的现象,使该晶体可以在端泵浦下实现高重复频率的特性。
电子科技大学/钻石光源/CSRC/成都大学合作,最新Nature!|光谱|成都...
Nd0.8Sr0.2NiO2Hx的电子结构为了了解由H掺杂引起的电子结构演变,作者密度泛函理论(DFT)计算了三种H浓度x=0、0.25和0.5的带状结构与轨道投影(图4a-c)(www.e993.com)2024年9月20日。总的来说,IIS带明显存在于Ef附近,对应于AOV的电子状态。掺入H后,IIS带被湮灭,这导致其DOS迅速转向更高的能量和密度降低,这反映在带结构中。另一方面,H掺...
TOPCon设备专题报告:规模量产,PECVD成为主流工艺
LPCVD问题之二:LPCVD原位掺杂较难,主要问题在于:1)难以实现大于1020cm-3高活性的掺杂浓度(ND,act);2)掺杂层沉积速度慢,产量低;3)膜厚度不够,且均匀性差;LPCVD原位掺杂中,掺杂浓度与膜的沉积速度是相制约的关系。根据Kamins研究,多晶硅层中磷的活性掺杂浓度需达到1020cm-3,才能实现较低的复合电流密度J0...
PERC带火的SE有哪些实现方式?
根据金属-半导体接触电阻理论,接触电阻与金属势垒(barrierheight)和表面掺杂浓度(Nd)有关,势垒越低,掺杂浓度越高,接触电阻越小。(2)减少载流子Auger复合,提高表面钝化效果当杂质浓度大于1017cm-3时,Auger复合是半导体中主要的复合机制,而Auger复合速率与杂质浓度的平方成反比关系,所以SE的浅扩散可以有效减少载流子...
新一代ESD保护器件不再需要VCC连接
.从横向二极管结构变为纵向二极管结构.更高的单位面积ESD性能.NA和ND掺杂更少,却可以达到相同的正向击穿电压这些进步意味着,在降低结电容来支持高速接口时-不再需要使用VCC连接。不使用VCC连接,给系统工程师带来如下三方面的好处:1、没有泄露电流进入内部电源...
危险废物鉴别标准 浸出毒性鉴别
HJ/T299固体废物浸出毒性浸出方法硫酸硝酸法HJ/T298危险废物鉴别技术规范3鉴别标准按照HJ/T299制备的固体废物浸出液中任何一种危害成分含量超过表1中所列的浓度限值,则判定该固体废物是具有浸出毒性特征的危险废物.表1浸出毒性鉴别标准值序号危害成分项目无机元素及化合物1铜(以总...