??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。1伏安时=1瓦时=3600焦耳一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U但电容的大小不是由Q(带电量)或U(电压)决定的,即:C=εS/4πkd。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,...

透彻分析电容去耦原理

举例,在手机设计中,给vbat供电支路的几个分支上都挂47uf电容,如上图所示,连接器附近,PMU附近,PA附近都挂47uf电容,认为只有PA旁边的47uf对PA有效果,连接器旁边的,PMU旁边的对PA没有效果,实际不是这样的,当PA需要瞬间电流的时候,三颗钽电容都会向PA供电,供电过程完全取决于瞬间压差,哪颗电容与PA的瞬间压差最大,...

电容能抗多大的ESD?

假设能量全部释放掉,Cx=10NF上的瞬间电压会达到10KV*150PF/(10nF+150pF)=147.78V,这个电压还是很高的,一定程度会损坏电容。算了一下1nF、10nF、22nF、47nF和100nF在10KV150pF模型和10KV330pF模型下瞬间达到的电压值,当电容达到100nF时,电容上的电压已经很低了,电容是可以承受的,而且假设前提是模型的能...

瓷片电容参数识别的方法

二、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即4.7nf,转换为pf即为4700pf。还有的例如:10n,即0.01uf;33n,即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v。三、数学计数法:如瓷介电容,标值104,容量就是:10X10000pf=0.1uf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X10...

没有电容计,如何测量未知电容?

1pF至100nF测量范围下表包含所有理论频率值,这些值仅通过改变电容C1即可测得。对于此测量范围(介于1pF和100nF之间),电阻R1必须为470k。其电容频率关系图如图3所示。图3:电路电容和频率之间的对数关系图(R1=470k)在这个测量范围之内,描述电容和频率之间关系的两个公式如图4所示。这是两个非常复杂...

片式电容器的一般电性能及参数介绍

下面以一个容量值为22pF的电容器所测得几组数据为例:由上表可知,介质损耗在低频率下是主要的,而在高频时则很小,金属损耗则与之相反(www.e993.com)2024年11月7日。当频率越高时,金属损耗就表现出”趋肤效应”。现列举我们市场上几个产品容量段的Q值。因此,在设计时,高频下我们应考虑ESR和Q值对电路设计的影响;低频下应考虑损耗(DF)...

瓷片电容容102 103 104 222 223 472 473 474是多少

电容:104为0.1uF103为0.01uF474为470000pF或470nF或0.47uF473为47000pF或47nF或0.047UF其中4表示后面有4个0单位pF3就是后面有3个0单位pF。1000pF=1nF1000nF=1uF470P是471470n是4741000PF是1022200PF是222101是100pF222是2200pF...

CAN总线:设计CAN总线电路

我们知道60欧姆时的电阻,我们就可以计算出电容器。如果我们必须近似电容值,一个稍微小一点的电容器对我们宝贵的信号的干扰就会小一些。因此,4.7nF,这是最广泛采用的值。如果你需要一个被动元件库,我衷心推荐马克·哈里斯的天体图书馆。它是广泛的,精心策划的。

干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录

对电容的充电需要一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是可提供瞬间短路电流的大小;第二个要留意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极导通电压要比...