下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试

同时,氧化镓最稳定的异构体,β-Ga2O3的禁带宽度达到4.8eV,理论击穿电场约8MV/cm。由此,巴利加优值(Baliga’sFigureofMerit)高达3444,远超氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),这意味着其用于功率器件的潜力巨大,使其成为下一代半导体功率电子的候选材料。由于应用场景的不同,对于氧化镓的单体以及参杂...

总投资16.8亿元,福建晶旭半导体滤波器项目5月封顶

公开资料显示,晶旭半导体致力于氧化镓基通讯射频滤波器晶圆材料及芯片的研发生产和服务,具备氧化镓半导体外延装备、工艺及芯片自主开发的能力。特别是在氧化镓超宽禁带材料制备技术上处于国际领先地位,主要产品为氧化镓基射频滤波器芯片或器件等,广泛用于5G通讯、智能物联等应用领域。晶旭半导体二期项目负责人章加奇表示:...

第三代半导体6英寸生产线最新动态

9月10日，富嘉镓业6英寸氧化镓单晶及外延片生长线在杭州富阳开工建设。富嘉镓芯成立于2019年，致力于超宽带隙半导体氧化镓材料的商业化，专注于氧化镓单晶的生长以及氧化镓衬底、外延片的研发、生产和销售，产品主要应用于功率器件、微波射频、光电探测等领域。氧化镓单晶可以通过熔体法生长，从而在制备成本、单晶质量、...

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)成功被大会接收,这也是中国科大首次以第一作者单位在IEEEIEDM上发表论文。1.高功率氧化镓肖特基二极管如何开发出有效的边缘终端结构,缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由...

氮化镓晶体管散热革命与高性能电子器件的未来 | 金刚石大会

针对新型半导体(金刚石、氧化镓、氮化镓、碳化硅、AlN……)以及超精密加工(材料、工艺、设备)设置宽禁带半导体及超精密加工论坛、金刚石前沿应用及产业发展论坛两大论坛。展会针对金刚石及其功能化应用主题、半导体超精密加工设置10000㎡专题展区,将展示最新金刚石晶圆、量子钻石、热沉金刚石等功能化产品及相关器件,欢迎莅...

日本推出“K计划”:聚焦第四代半导体氧化镓(Ga2O3),由NCT牵头

作为全球氧化镓(Ga2O3)技术领域的佼佼者——日本NovelCrystalTechnology（NCT）近日宣布,其一项氧化镓半导体研发项目被日本国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构（NEDO）纳入“高输出和高效功率器件/高频器件材料技术开发”项目中(www.e993.com)2024年11月14日。此项目隶属于日本政府重磅推出的“K计划（KProgram，KeyandAdvanced...

新突破!镓仁半导体成功制备3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底

导读:2024年7月,杭州镓仁半导体打破技术纪录,成功培育出3英寸的(010)氧化镓单晶基底,达到全球领先,特别适合高效功率器件,已面向科研市场推出相应产品。2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的培育和基底加工方面实现了显著的技术突破。该公司成功制造了3英寸的(010)氧化镓单晶基底,这在国际范围内是已知的最...

完全自主产权 中国第四代半导体新突破!6英寸氧化镓单晶实现产业化

快科技3月21日消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室。采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。6英寸导电型氧化镓衬底杭州镓仁半导体，也成为国内首个掌握6...

富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片项目开工!

杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日,是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业,公司以“让世界用上好材料”为愿景,开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作,主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作,产品主要应用于功率器件、微波射频及光电探测等领域。

事关氧化镓,日本大厂重磅宣布

企业年7月,三菱电机宣布入股成立于2015年的NovelCrystalTechnology,该公司主要开发新型半导体材料氧化镓。双方将合作开发氧化镓功率半导体,三菱电机功率器件制作所高级技术顾问近藤晴房表示,碳化硅功率模块的商业化应用已超10年,现在是时候导入新的宽禁带材料了,作为新型半导体材料,氧化镓肯定会面临很多技术挑战,三菱电机接...