台积电技术主管:若没有梁孟松,大陆将停留在28纳米技术层面

台积电技术主管：若没有梁孟松，大陆将停留在28纳米技术层面在最近的一次访谈中，台积电技术主管杨光磊对华为的七纳米芯片技术发表了重要看法。他指出，使用DUV（深紫外光）技术制造7纳米甚至5纳米芯片并非不可能，早在台积电未引入EUV（极紫外光）技术之前，第一代7纳米芯片也是依靠DUV制造而成。然而，他强调的关键问题...

迈进28纳米高阶制程,打造北京半导体制造新高地

投资330亿迈入28纳米高阶制程,实现半导体工艺平台跨越式发展公司依托北京电控集团,以北电集成为建设主体,投资330亿元搭建28nm-55nmHV/MS/RF-CMOS、PD/FD-SOI等12英寸特色工艺平台。规划项目产能5万片/月,2024年已经开始建设,预计2025年四季度设备搬入,2026年底实现量产,2030年满产。根据测算2031年达产年收入83.40亿...

拉黑大陆7纳米以上所有芯片代工,台积电陷入风口浪尖!

根据钛媒体报道，今天芯片行业已经开始疯传，台积电向大陆AI芯片公司，统一发送了一份电子邮件。这几乎是一封“绝杀令”，核心内容是，下周一起，将暂停向大陆GPU、AI芯片客户供应所有7纳米以及更先进工艺的芯片。也就是说，台积电准备在7纳米制程范围以内，拉黑所有大陆芯片公司了。面对这些传闻，台积电没有正面回应，...

天大的好消息,全新国产光刻机曝光,套刻≤8纳米,什么水平?

阿斯麦的“NXT:1980Di”那可是浸润式DUV的典型呢，它分辨率能到38纳米，靠着多重曝光，7纳米制程的芯片它都能生产。全球最牛的光刻机得数阿斯麦的“EXE:5000”了，它用的是13.5纳米的极紫外光源，分辨率能达到8纳米呢，这是朝着3纳米制程去研发的。不过啊，这玩意儿现在少得很，就英特尔买了一台，还在样机阶...

DUV曝光机光阻剂力拼岛内自给 核心材料明年供台积电、联电

虽然DUV传统是成熟制程或至少7纳米以上使用,但工研院表示,透过节点调整,DUV也可以应用到5纳米、3纳米,只是良率多寡而已,中国大陆就是靠节点调整去生产先进制程芯片。工研院强调,最终国内会走向DUV光阻剂等周边材生产全部本土化,下一步还会朝EUV周边材自主化去走,目前极紫外光已经有放入前瞻计划中研发,不过需要时间...

喜大普奔!国产高端DUV光刻机突然官宣!节后抢筹概念股?

此外,增加数字孔径同样能有效提升光学分辨率,虽然单个数字孔径的理论极限是一,但在引入水作为介质后,数字孔径实际可达约1.35,成为DUV光刻机能达到的光学分辨率上限(www.e993.com)2024年11月27日。这意味着在特定波长条件下,通过优化光路设计和材料选择等手段,已经接近并逼近了38纳米的光学分辨率极限。

美论坛:没有得到美国的允许,中国为何敢私自研发DUV光刻板?

在DUV光刻机这一方面,我们就已经取得了很大的进展,子尤其是在技术方面的一些突破,在国际上那是引起了很大的反响。而根据报道显示,我们自己生产的光刻机,其实已经突破了28纳米工艺,达到了世界先进水平。而且这些光刻机已经可以投入到芯片生产之中,满足国内芯片制造商14纳米甚至到7纳米芯片的制造,是完全没有问题的...

我国国产 DUV 光刻机迎来里程碑式进步,套刻≤8nm

套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺1:3的关系,这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。28纳米光刻机,是芯片中低端和中高端的分界线,意味着工业独立,中国的空调洗衣机汽车等各类工业品,可以突破西方国家设置的重重封锁,自主生产销售。

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!

9月9日,工信微报微信公众号发文披露《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。其中,在电子专用设备一栏,氟化氪光刻机、氟化氩光刻机位列其中。该资料显示,氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度。据东兴证券研报,光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机,市场主流有i-Iine(汞...

中国大陆市场带飞ASML业绩,DUV光刻机销量增势迅猛

ASML目前的光刻机产品主要分DUV(深紫外光)和EUV(极紫外光)两大类,DUV光刻机可以满足7纳米及以上制程的芯片制造需求,而EUV光刻机一般用于更先进制程的工艺,例如5纳米及以下更小尺寸的制程节点。在第二季度的光刻机系统销售数据中,DUV光刻机已经占总销售额的一半以上(下图中ArFi、ArFdry、krf和I-line均对应其...