光刻机唯一掌握EUV光刻机技术,供货华为,中科院强势抢筹

但咱们中国人向来有志气，有劲头。早在2002年，中科院就开始研究EUV光刻技术了。这二十多年来，默默攻关，专利一个接一个。就在前不久，中科院上海光机所传出好消息，在光源技术、反射镜等核心领域都有了突破性进展。这个突破可不是小打小闹。要知道，EUV光刻机涉及的技术门类特别多，光学、机械、电子，样样都...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

DUV光刻机想要生产更先进制程芯片,除了浸没式外,就必须突破多重曝光技术的瓶颈。多重曝光将原本一层光刻的图形拆分到多个掩模上,利用光刻Litho和刻蚀Etch实现更小制程。1.35NA的浸没式DUV分辨率约38nm,单次曝光能满足28nm逻辑节点,在2015年EUV光刻机量产之前,台积电最先进制程已发展到16/12nm,实现手段便是多重曝光...

中科院芯片新突破,跳过EUV光刻机,或实现技术超车

中科院在微芯片领域带来了令人振奋的消息，整个半导体行业都在寻求新的突破。新材料石墨烯因其高弹性、高导热性、高导电性和高硬度而被认为是理想的选择。据报道，单晶石墨烯晶片的性能比传统硅晶片提高了10倍，这反映了石墨烯的独特优势。中国在这一领域已经处于领先地位：在2020年全国石墨烯创新大会上，首次公...

“光刻机光源” 划时代突破,背靠中科院,市占率80%,只有垄断性

中国在EUV光刻机光源系统的研发上取得了重大突破。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所成功研发出EUV光源工程化样机,这一成就不仅打破了国外技术的垄断,更为国内半导体产业的自主可控提供了有力支撑。这一突破标志着中国在EUV光刻机光源系统领域迈出了坚实的一步,为我国半导体产业的发展注入了新动力。清华大学提出...

我国量子芯片再获突破,没有EUV光刻机,也能实现5nm芯片性能?

安徽合肥搭建的量子芯片生产线,是我国在量子芯片领域的重大突破,同时也证明了我国有制造量子计算机的能力。量子芯片与传统的硅基芯片制造技术并不同,可以完美的绕过EUV光刻机技术,同时将芯片的性能提升千倍、万倍。如果我们能够打造一条完全自主的国产量子芯片产业链,那么摆脱“卡脖子”,逆袭欧美日韩,都是有可能的。

中科院研发新型激光光刻技术:不用EUV,直击5nm

荷兰ASML公司是全球唯一能生产EUV光刻机的公司,他们之前表态7nm以下工艺都需要EUV光刻机才行(www.e993.com)2024年11月22日。现在中科院苏州纳米所的团队开发了一种新的激光光刻技术,不需要使用EUV技术就可以制备出5nm特征线宽。半导体光刻最重要的指标是光刻分辨率,它跟波长及数值孔径NA有关,波长越短、NA越大,光刻精度就越高,EUV光刻机就是从...

量子科技+国资控股+中科院合作,核心龙头被严重低估!

它不仅能突破摩尔定律的限制,还能帮助我们弥补在高端EUV光刻机领域的不足。A股市场的老股民都知道,国产科技领域的每次突破都会催生翻倍大涨的股票。比如,我国在刻蚀机领域取得全球领先地位时,北方华创的股价从30元涨到了451元;我国在芯片领域取得突破时,深圳华强的股价也大涨了6倍。

中科院突破5nm光刻技术垄断?事实残酷却又是把双刃剑

关于中科院“突破ASML的垄断”、“不用EUV光刻机就能造成5nm芯片”的消息刷爆了自媒体圈。然而,情况真是这样吗?《财经》新媒体近日的报道道出了事实真相:今年7月,中科院苏州所联合国家纳米中心在《纳米快报》上发表了题为《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文,介绍了该团队研发的新型5纳米超...

中科院研发者回应5纳米光刻技术突破ASML垄断

消息一经发出,外界一片沸腾,一些媒体称此技术可以“突破ASML的垄断”、“中国芯取得重大进展”,“中国不需要EUV光刻机就能制作出5纳米制程的芯片”。该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前告诉《财经》记者,这是一个误读,这一技术与极紫外光刻技术是两回事。

国内三巨头同时研发DUV和EUV,最快下半年量产,华为芯片有救了

通过查询得知,长春光机所与上海微电竟然有相关技术的互补,而上海微电本身就是脱胎于长春光机所,上海微电所持有的相关技术与荷兰ASML技术路径很类似,这也意味着突破EUV光刻机变成了可能,根据相关消息显示这种光刻机可能会在2-3年内就可以实现量产,虽然整体肯定不如荷兰ASML,但是解决了EUV光源的没有问题。