【个股价值观】捷捷微电:行业回暖业绩修复,车规MOS产能扩张迟缓

值得一提的是,捷捷微电控股子公司易矽科技致力于硅基IGBT及宽禁带等新型功率器件的设计研发,其由无锡芯路、捷捷微电及天津环鑫三方共同发起创建,该团队正在进行650V和1200V两个电压平台的产品研发,部分型号已经实现小批量销售。此外,公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材...

拆解报告:vivo 120W氮化镓闪充充电器V12060L1H0-CN

同步整流控制器同样来自南芯科技,型号SC1845,是一颗用于反激开关电源的同步整流控制器,支持宽输出电压,输出电压可低至0V,芯片无需辅助绕组供电,专利的自适应开通检测电路能避免整流管误导通。内置的驱动器能够兼容多种MOS,高能效满足CoCV5和DoEVL能效要求,芯片支持400KHz开关频率,支持DCM、CCM和QR工作模式,支持高侧...

内置MOS全集成三相直流无刷电机BLDC驱动芯片方案

(2)正弦波控制:使用的是SVPWM波,输出的是3相正弦波电压,电机相电流为正弦波电流。可以认为在一个电气周期内进行了多次的连续变化换向,无换相电流突变。显然,正弦波控制相比方波控制,其转矩波动较小,电流谐波少,控制起来感觉比较“细腻”。高集成度一直是集成电路设计行业不断探索的目标。就电机驱动控制专用芯片而言,如...

为啥MOS 管需要驱动电路?

从上图中可以看到,在导通状态下,源极电压达到了14.79V,比15V电源低约0.21V。同样,当电流约为715mA时,这意味着MOSFET的功率为150mW,正好达到器件的极限。因此,尽管p沟道MOSFET更容易制造,但相同尺寸的n沟道MOSFET具有了更低的导通电阻。显然,如果可能的话,我们最好在高侧使用n沟道器件。

MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算

在该mos管中,该值的范围为2v~4v之间,mos工作在放大区域。即mos管的导通沟道没有完全形成,这时的mos管是极其脆弱的。如果此时我们在mos管DS间设计大的电压,就可能会导致mos管的损坏,具体的原因是mos管没有完全导通,而此时DS压差又很大,又因为mos管自身有电阻的影响,所以导致此时通过mos管的电流也是比较大的。

吃透MOS管,看这篇就够了

但愿上述描述能通俗的理解mos管,下面说说几个约定俗成电路:1:pmos应用一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止(www.e993.com)2024年11月13日。而且,栅极可以加高过电源的电压,意味着可以用5v信号管理3v电源的开关,这个原理也用于电平转换。

MOS管烧了,可能是这些原因

超过+/-15V的栅极-源极电压可能会损坏栅极绝缘并导致故障,应注意确保栅极驱动信号没有任何可能超过最大允许栅极电压的窄电压尖峰。栅极驱动不足(不完全开启)MOS管只能切换大量功率,因为它们被设计为在开启时消耗最少的功率。工程师应该确保MOS管硬开启,以最大限度地减少传导期间的耗散。

都叫800V,但车企挖的这些“坑”你得小心!

如果按照行业内“只要系统额定电压在550-930V之间就是800V”的观点来看,只要用性能稍强一点的硅基功率模块,就足够满足800V的标准了。例如阿维塔的电压平台严格意义上是750V,因为它就是基于传统硅基的功率器件SiIGBT实现的,而网上也有很多声音也因此把它叫做800V。

MOS管及其外围电路设计

式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos管关断时DS电压上升时间(该时间一般在datasheet中也能查到)求得。从上面的分析可以看到,在mos管关断时,为了防止误开通,应当尽量减小关断时...

LED驱动电源电路分析

内置高电压功率MOS管650/1.9欧姆,支持通用交流输入电压AC85V--265V,该IC的驱动电路通过脉冲检测漏电流峰值,在D/ST(7脚,8脚)端电压高于OCP电压时关闭功率MOS管,漏电流保护连接在s/ocp(1脚)和GND(3脚)间的电流采样电阻。当采样电阻的压降达到OCP电压阀值,就关闭功率MSG管。