水凝胶!登顶《Science》!!|溶剂|聚合物|电化学_网易订阅

当作为有机电化学晶体管(OECTs)(图1E)中的沟道层时,半导体相的长程连续结果体现出理想的OECT性能。与柔软可拉伸的聚合物半导体相比,这种水凝胶半导体实现了模量降低两个到三个数量级,同时保持了迁移率(m)在相似水平(图1F)。这种策略可以应用于具有极性侧链的多种聚合物半导体,并且可以实现直接光图案化,用于高密度...

芝加哥大学王思泓团队,再发Science:水凝胶半导体!

当作为有机电化学晶体管(OECTs)(图1E)中的沟道层时,半导体相的长程连续结果体现出理想的OECT性能。与柔软可拉伸的聚合物半导体相比,这种水凝胶半导体实现了模量降低两个到三个数量级,同时保持了迁移率(m)在相似水平(图1F)。这种策略可以应用于具有极性侧链的多种聚合物半导体,并且可以实现直接光图案化,用于高密度...

中国科学院:SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法

其中Ids是流过节点d和s的电流,Vds是两个节点之间的电压,Vgs是栅极偏置电压,Vth是阈值电压,λ是沟道长度调制。此外,kmos=??nch??feCoxW/L是与制造相关的参数,其中W为沟道宽度,L为沟道长度,Cox为栅氧化层电容。k和Vth都与温度相关。当器件完全导通时,Vds非常小,因此Rch可以写为:其中krs是一个常数系...

模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性

这是由于一种称为沟道长度调制的现象,其中在饱和区域中,随着漏极电压的增加,沟道长度开始逐渐减小。为了适应沟道长度调制,我们将饱和状态下的漏极电流方程调整为:方程式6。信道长度调制系数λ的计算公式为:方程式7由此,我们可以计算饱和时的输出电阻(ROUT)为:方程式8亚阈值导电以前,我们定义了三个晶体管工...

Nat. Commun.:梯度表面能调制实现晶圆级超平坦石墨烯

将二维(2D)材料集成到当前的硅技术中,可以将高迁移率、无悬键界面、原子尺度沟道尺寸嵌入实际的电子和光电器件中。注意,一个必要的前提是将2D材料从其生长衬底转移到工业晶圆上。然而,在2D材料的晶圆级单晶生长方面,转移方法还存在着很大的差距,这阻碍了近年来在2D材料晶圆级单晶生长方面的进展。通常,湿法转移使用PM...

为什么In2O3可以制造0.7 nm原子层薄的晶体管?

阈值电压和沟道载流子密度可以通过沟道厚度进行显著调控(www.e993.com)2024年11月20日。这种现象可以利用陷阱中性能级（TNL）模型来理解，其中费米能级趋于在In2O3的导带内部深处排列，并由于量子限制效应而可被调制为原子层薄In2O3的带隙，通过密度函数理论（DFT）计算证实了这一点。增强型非晶In2O3晶体管的演示表明In2O3是BEOL兼容晶体管和单...

极端制造 | 原子层半导体和传统半导体比较一致性分析及异构集成的...

阻碍晶体管尺寸缩小的最重要的物理障碍是几十纳米沟道长度的短沟道效应(SCE)和亚10纳米沟道长度的量子隧道效应。在过去的二十年中,重点是开发几代专门设计的材料系统和设备结构,以克服与这些问题相关的挑战。这些进步包括高K金属栅极MOSFET、目前商业化生产的鳍式场效应晶体管(FinFET)以及最先进的环栅(GAA)MOSFET。

中国学者一作,最新Nature:晶体管的未来!

电子学的历史一般由三种主要电子器件组成——真空管、双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),如图1所示。从真空管到BJT,并最终到MOSFET的所有重大转变主要都是由降低功耗的需求驱动的。根据商业化时间,展示了四种主要的非传统FET微缩技术,即SOI、应变沟道、HKMG和FinFET,分别对应0.18微米、90nm...

《Chip》首次发布中国芯片科学十大进展,含AI训练芯片

1.清华大学任天令教授团队:亚1纳米栅极长度晶体管的首次实现清华大学任天令教授团队利用石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和优异的导电性能作为栅极,通过石墨烯侧向电场控制垂直的二硫化钼沟道的开关,使等效的物理栅长度降为0.34纳米,然后通过在石墨烯表面沉积金属铝并使其自然氧化,完成了对石墨烯垂直方向电场的屏蔽。此后,...

高压SiC MOSFET研究现状与展望

简单来说,JTE技术就是在主结旁边额外注入一段长度的P型掺杂,为主结分压以减小曲率效应。该技术由KALER在1977年首次提出,其在高压Si基器件上的有效性得到验证后,JTE技术便被业界广泛关注,多种改良型JTE结构也相继提出。随着SiC材料的研究和应用,功率器件的耐压等级已经超过10kV,特别是超高压...