聚焦先进光刻热潮,激发国际交流活力--第八届国际先进光刻技术研讨...

我们知道,光学邻近效应基本上是由成像物理决定的,也就是部分相干成像,再加上一些光刻胶效应和更现代的掩模3D散射效应。虽然其中一些效应不容易放入紧凑的模型中,但仍然有方法获得良好的模型。报告提出了制作一种高效的OPC模型,可以使recipe行数减少一个数量级。报告人:XuMa(BIT)报告题目:(INVITED)Advan...

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

旁瓣导致邻近效应,相邻图形衍射光之间相互干扰。采用光束宽度很小的高斯光束进行照明,可以确保大部分光能量能够穿过光瞳。采用这种配置,光瞳面的光强分布为高斯型,不会完全填充,是LDWL的首选。NA较大的情况下,聚焦后光束的形状明显受偏振态的影响。标准激光直写光刻的分辨率由阿贝-瑞利极限x=k1*λ/NA决定,取决于...

对话北京理工大学特聘教授李艳秋

在尼康工作期间，李艳秋创新编制了含高能电子束相对论效应的电子光学设计程序，提高了电子束光刻成像精度；在电磁透镜设计中，打破传统规则的电磁透镜设计、加入修正小磁畴，提高了电子光学成像分辨率和保真度，完善了电子束投影曝光机成像性能。2003年，李艳秋在美国三束会议作大会开幕式邀请报告后，Giff先生（美国第一个...

极端制造 | 双光子聚合光刻技术在成像光学领域的发展与应用

传统高分辨率的制造方法如电子束光刻(EBL)和聚焦离子束光刻(FIB)可以制作超透镜的2D或2.5D原型,而TPL可以在保持亚波长特征尺寸的前提下快速制造3D透镜,为实现更复杂的设计,获得更好的成像性能提供了可能。然而目前TPL可实现的最小特征尺寸约为200纳米,这限制了对较短波长的设计能力。图7使用TPL加工的超透镜及其应...

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

导读:我国电子束曝光技术是六十年代后期开始发展起来的,到七十年代,近十家从事电子束曝光技术研究的单位,在北京、上海、南京分别以大会战的方式组织了较强力量的工厂、研究所和高等院校研制。电子束曝光机概述电子束曝光(EBL,也称之为电子束光刻)始于上世纪60年代,是在电子显微镜的基础上发展起来的用于微电路研究和...

【科普】芯片制造工艺:光刻(上)

光学光刻-提高分辨率:3.1减小λ:从436nm到13.5nm3.2增大NA:浸没式光刻机3.3减小K1:相移掩膜、光学邻近效应矫正、离轴照明、双重曝光1.光学光刻-掩膜、光刻胶1.1洁净室由于空气中的尘埃粒子会落到半导体晶圆和光刻掩模上,致使器件中产生缺陷,导致集成电路失效,因此洁净室是必需的(www.e993.com)2024年11月29日。制造集成电路的大多...

半导体之光刻:行业技术升级加速应用渗透,直写光刻市场如日方升

主要原因：一是带电粒子直写光刻技术的生产效率较低，且在大规模生产中会产生较为严重的邻近效应，严重影响图形的分辨率及精度；二是激光直写光刻技术受限于激光波长，在光刻精度上不如电子束、离子束等带电粒子直写光刻技术，还无法满足高端半导体器件制造的需求。然而，泛半导体器件具有类型多样化、升级迭代快的特点，...

光伏电镀铜技术专题报告:有望逐渐产业化,开启无银时代

特定型号的掩膜版用不了多久就不能用了，这会让掩膜版的投入成本变高，特别是新产品研发成本又高周期又长，实际用的时候还要换底片等，所以直写光刻工艺更灵活。不过得说一下，直写光刻技术现在在生产效率等方面还有问题，像带电粒子直写光刻技术生产效率低，大规模生产的时候邻近效应还挺严重的。方案二是激光路线...

鼎龙股份: 湖北鼎龙控股股份有限公司向不特定对象发行可转换公司...

浸没式光刻技术辅助以相移光掩模、邻近效应??????????????????????????????????????????校正等分辨率增强技术,并结合多重曝光技术,可应用于??45-7nm??????????????????????????????????????????工艺线宽。??????????????...

龙图光罩: 龙图光罩首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

??????????????????????????????Optical??Proximity??Correction??的简称,即光学邻近效应修正技术,是??????????????????????????????一种光刻分辨率增强技术。OPC??通过修正光刻图形和设计图形之间