电子行业深度报告:先进封装助力产业升级,材料端多品类受益

芯片铜互连的制造工艺是在晶圆的沟槽上采用电镀的方法沉积、填充铜金属的工艺,铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性能要求。先进封装方面,凸块电镀、再分布线、硅通孔(TSV)电镀等是超越摩尔定律的关键。为了进一步提高集成电路性能,需要缩短晶圆间、晶...

青原区智慧停车场新能源汽车充电桩建设项目技术方案征集公告

2.尺寸:L*W*H2000*1050*(950+500)3.含土方开挖、碎石垫层、砼垫层、砖砌井室、砼浇筑、爬梯、抹灰、余土外运、盖板等座7.0035挖沟槽土方1.名称:人机配合挖沟槽土方m??114.8736电缆沟垫层1.名称:电缆沟垫层2.材质:C10混凝土m??7.9237回填方1.名称:电缆沟回填2.材质:机械填土...

道滘镇智慧城市监测平台及配套建设项目-机房搬迁结果公告

货物类(中通服建设有限公司)

建筑one丨经典结构加固改造施工方案(文末附下载方式)

c、钻孔前,作业人员应熟知对应孔位钻孔直径尺寸、深度,钻孔中若出现偏位情况应及时调整,尽量保证按设计位置进入规定深度,若经检查孔深不够必须重新钻孔直至符合规定要求。d、钻孔实际进程中若碰到砼体内钢筋应将位置避开,在不影响砼强度的前提下移开距离过大时,应与设计协调进行补植加筋补强。③、清孔钻孔完...

锻造加工工艺介绍|热处理|飞轮|铁素体|锻件|锻压|坯料_网易订阅

(2)在预锻模设计时,将耳部总高尺寸增加了,以保证终锻时有多余金属充满型腔。(3)在预锻和终锻模上,在耳部都采用了楔形飞边,增大了金属流向飞边的阻力,有利于金属充满耳部。(4)在预锻模开挡处把圆角加大,有利于金属流向耳部。(5)在预锻模和终锻模的耳部都设计有排气孔,有利于金属充满耳部。(6)为...

锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告

尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件.公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求....

湖南省茶陵至常宁(含安仁支线)高速公路项目机电施工图勘察设计第...

招标人允许投标人将投标保函原件(如有)、银行查询授权书原件(如有)按照招标文件要求密封后(封套注明项目名称、标段号、招标编号、投标人名称),采用邮寄方式最晚于开标之日前一工作日下午17:00时前交招标代理机构签收(以签收时间为准),邮寄地址:湖南省长沙市开福区三一大道500号金色比华利小区16栋2单元104室(联系...

锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告

尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件.公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求....

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随着3DNAND堆叠层数增加,阶梯接触孔的深宽比会达到40:1到60:1以上,这对氮化钛阻挡层的生长和极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求,堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充,包括更高的深宽比和更长的横向填充。这些新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。

中微公司2023年年度董事会经营评述

PrimoSD-RIE具有实时可调电极间距功能,可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距,能灵活调节等离子体浓度分布和活性自由基浓度分布,有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题,极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。