电动汽车800V电驱动系统核心技术
当电驱动系统的供电电压等级提高到800V后,需要随之提高逆变器中使用的功率器件的耐压到1200V??在这个电压等级下,SiCMOSFET相比SiIGBT更具综合技术优势,见表5??基于SiC的固有材料特性,SiCMOSFET具有高耐压??低导通电阻??耐高频??耐高温4大特性优势??(1)SiC材料的绝缘击穿场强是Si的10倍,因此与Si器件相比...
EDA365:元器件可靠性降额准则一览表
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求,以及对设备重量和尺寸的限制等因素,综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。a.Ⅰ级降额Ⅰ级降额是最大的降额,对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额,通常对元器件可靠性的提高有限,且可能对设备设计...
什么是降额设计-电子元器件
Ⅱ级降额是中等降额,对元器件使用可靠性有明显改善。Ⅱ级降额在设计上较Ⅰ级降额易于实现。Ⅲ级降额是最小的降额,对元器件使用可靠性改善的相对效益最大,但可靠性改善的绝对效果不如Ⅰ级和Ⅱ级降额。Ⅲ级降额在设计上最易实现。
电路设计中的元件降额设计
4、降额系数(S):元器件降额应用时引入一个降额系数,其定义为:降额系数定义实际上与电应力系数的定义相同,故两者可以通用。三、降额等级在最佳降额范围内,一般又分3个降额等级:1、Ⅰ级是最大的降额,适用于设备故障将会危及安全,导致任务失败和造成严重经济损失情况时的降额设计。它是保证设备可靠性所必...
功率半导体科普:MOSFET|晶体管|mosfet|电容|栅极_网易订阅
SOT23是常用的三极管封装形式,有3条翼形引脚,分别为集电极、发射极和基极,分别列于元件长边两侧,其中,发射极和基极在同一侧,常见于小功率晶体管、场效应管和带电阻网络的复合晶体管,强度好,但可焊性差,外形如下图(a)所示。SOT89具有3条短引脚,分布在晶体管的一侧,另外一侧为金属散热片,与基极相连,以增加散热...
不可忽视的电源模块的应用设计和品质!
图中D1、D2建议使用低压降的肖特基二极管,以避免二极管的压降影响后端系统的工作,另外,二极管的耐压值要高于输出电压(www.e993.com)2024年9月15日。这种方法会产生额外的纹波噪声,需外接电容来减小纹波或是加滤波电路。降额设计众所周知,降额设计可以有效提高电源工作寿命,但是负载过轻使用,电源的性能又无法工作在最佳状态。例如,金升阳DC-DC模...
看完这篇,请不要再说不懂MOSFET!|晶体管|dc|mosfet|电容|栅极...
SOT23是常用的三极管封装形式,有3条翼形引脚,分别为集电极、发射极和基极,分别列于元件长边两侧,其中,发射极和基极在同一侧,常见于小功率晶体管、场效应管和带电阻网络的复合晶体管,强度好,但可焊性差,外形如下图(a)所示。SOT89具有3条短引脚,分布在晶体管的一侧,另外一侧为金属散热片,与基极相连,以增加散热...