Nexperia推出DFN2020D-3封装的热门功率双极结型晶体管
除了通用晶体管外,Nexperia还发布了一系列低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。这些器件结合了超低饱和电压和高电流增益,有助于提高许多电源应用的能效。低VCEsat晶体管性能卓越,可以取代采用更大封装的标准晶体管,从而可以在更小的PCB上实现更紧凑的设计。#Nexperia#文章来源:Nexperia如需产品规格书、样片测试、...
单级小信号 RF 放大器设计
针对给定的设计参数,即输出电流(IC)、输出电压(VC)、直流偏置电压(VCC)和晶体管电流增益,选择晶体管的工作点。考虑到偏置稳定性,发射极电阻RE上的电压固定为VE。对于高β值晶体管,集电极(IC)和发射极(IE)电流大致相等。根据IE和VE,设计电阻RE时使用的公式为电阻RC的计算公式为...
基础知识之晶体管
※1:hfe晶体管的直流电流放大系数晶体管工作原理晶体管由PN结组成,通过在基极流过电流,而在集电极-发射极间流过电流。在这里,以NPN晶体管为例来说明其工作原理。当在基极和发射极之间施加正向电压(VBE)时,发射极的电子(负电荷)流入基极,部分电子会与基极的空穴(正电荷)结合。这就是基极的微小电流(IB)。
整理分类:晶体管的类型分析
通过内部电放大机制,产生光电流增益。光电晶体管在三个端子上工作。易于实现电控或电同步。光电晶体管使用的材料通常是砷化镓。主要分为双极型光电晶体管、场效应光电晶体管及相关器件。双极型光电晶体管通常增益较高,但速度不太快。场效应光电晶体管响应速度快。其缺点是感光面积小,增益小。它通常用作极高速光学探测...
技术科普 | 汽车电机控制器详解
电压转换:MCU将电池的直流电转换为三相交流电,驱动交流电机,这一过程通过内部逆变器实现,使用半导体开关器件如晶体管或IGBT来控制电流的频率和幅值。速度与转矩控制:MCU根据驾驶条件调整电机转速和转矩,以适应不同的驾驶需求。系统保护:MCU具备多种保护机制,如电池输入端保护、故障检测、电机控制器本体故障保护、过载...
小小的电容,也能写出一篇干货?
去藕电容就是起到一个“电池”的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰(www.e993.com)2024年9月11日。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的,只是旁路电容一般是指高频旁路,也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般取0.1??F、0.01??F等;...
双极结型晶体管的电流增益
有些人可能会说这是特定双极结型晶体管的电流增益,他们可能会提供β=100作为典型值。这是一个好的开始,但我们需要更:β是正向激活模式下工作的双极结型晶体管的基极电流和集电极电流之间的比例因子。这样更好,但我们还没有完成,因为情况实际上比这更复杂。作为本节副标题的问题有点误导,因为如果我们想在...
双极晶体管基础知识解析
双极晶体管一般指双极型晶体管,由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量...
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)知识解析
此外,闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下,P基区的电阻率会升高,破坏了整体特性。因此,器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例,通常比例为1:5。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对比...
功率晶体管的历史和新兴设计
达林顿功率双极晶体管(图1右侧)能够改善低通态电流增益的问题。它利用基极驱动晶体管T1向输出晶体管T2提供驱动电流,如图1中的等效电路所示。这种方法允许在导通状态下增加电流增益,但关断增益仍然很差。更重要的是,由于晶体管T1的电流流经晶体管T2的基极-发射极结,达林顿功率晶体管具有类似二极管的导通状态特性。这使得...