联华电子取得静态随机存取存储器装置专利
金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置”的专利,授权公告号CN112530491B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界作者:情报员
起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革新之旅
而FeRAM(铁电随机存取存储器FerroelectricRAM),也称为FRAM(FRAM是Ramtron、Cypress、Infineon的注册商标,富士康注册为FeRAM)。FRAM并非使用铁电材料,只是由于存储机制类似铁磁存储的滞后行为,因此得名。FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;...
全球存储芯片行业进入复苏周期 我国国产化进程加速下迎新机遇
易失性存储芯片可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称DRAM)两类,SRAM不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基存储;DRAM需要周期性地刷新,速度较慢,但成本较低,是大宗存储。非易失性存储芯片主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器(简称Flash)。目前快闪存储器的主...
台积电申请双端口静态随机存取存储器单元电路专利,提供了一种特定...
金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“双端口静态随机存取存储器单元电路“,公开号CN202410494777.1,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明的实施例提供了一种双端口静态随机存取存储器(SRAM)电路,包括Vdd节点和具有相同结构的第一SRAM单元和...
动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?
动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)区别?DRAM和SRAM主要有以下一些区别:速度:SRAM速度快,DRAM相对较慢。集成度:DRAM集成度高,可以在较小的空间内存储更多数据;SRAM集成度较低。成本:DRAM成本较低,SRAM成本较高。刷新:DRAM需要定期刷新来保持数据,SRAM则不需要刷新。功...
静态随机存取存储器(SRAM)行业发展现状及市场潜力分析报告
2024年6月17日调研机构GlobalInfoResearch出版了《2024年全球市场静态随机存取存储器(SRAM)总体规模、主要企业、主要地区、产品和应用细分研究报告》(www.e993.com)2024年11月26日。本报告主要分析全球静态随机存取存储器(SRAM)总体规模,主要地区规模,主要企业规模和份额,主要产品分类规模,下游主要应用规模等。规模分析包括收入和市场份额等。深入分析...
SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,纳思达涨6.09%
06月17日,SRAM(静态随机存取存储器)概念盘中拉升,截至10点22分,SRAM(静态随机存取存储器)概念整体指数上涨1.08%,报1121.250点。从个股上来看,该概念的成分股中,纳思达(27.450,-0.23,-0.83%)涨6.09%,恒烁股份(34.670,-3.54,-9.26%)、睿能科技(14.920,-0.45,-2.93%)、北京君正(73.050,0.65,0.90%)涨幅居前...
复旦微电:SRAM,即静态随机访问存储器(Static Random Access...
公司回答表示,您好!SRAM,即静态随机访问存储器(StaticRandomAccessMemory),是随机访问存储器的一种。基于SRAM型FPGA,是指FPGA的内部配置寄存器采用了SRAM,FPGA的配置程序被记录/存在FPGA配套的外部FLASH存储器上;当FPGA上电时程序文件调入内部的配置寄存器。是FPGA的一种设计方案。谢谢。
英飞凌扩展集成嵌入式纠错码的抗辐射异步静态随机存取存储器产品线
近日,为满足太空应用中的这些高性能计算需求,英飞凌科技旗下的InfineonTechnologiesLLCMemorySolution宣布推出采用英飞凌专利技术RADSTOP设计的最新抗辐射(radhard)异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其它恶劣环境应用而设计。
英飞凌宣布推出采用抗辐射(rad hard)异步静态随机存取存储器
英飞凌的全新抗辐射静态随机存取存储器(SRAM)有8位、16位和32位宽配置,并带有能进行单比特错误纠正的嵌入式纠错码(ECC)。这项先进技术使得纠错码(ECC)逻辑能够在读取周期内检测并纠正任何读取数据字中的单比特错误。英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员HelmutPuchner博士表示:“辐射效应会导致静态随机...