中欣晶圆申请改善背封硅片背面晶点的工艺方法专利,解决了背封硅片...
2024年9月19日 - 网易
第二步:完成BSD后进行SC1药液清洗,在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步:在65℃温度下,采用表面活性剂清洗5～10min。第四步:在常温下,采用HF溶液清洗5～10min。第五步:对硅片进行抛光,抛光时采用陶瓷盘,陶瓷盘不贴硅片进行空抛处理。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了背封硅片存在背面晶点的...
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更高Voc HJT制绒清洗工艺如何优化?
2020年2月13日 - 网易
SC1药液,由于H2O2的作用,硅片表面有一层亲水性的自然氧化膜(SiO2),硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透,由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。接着使用KOH溶液对硅片进...
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