CIS制造工艺回顾与展望

TSV提供衬底之间的混合键合电连接,衬底通过Cu-Cu金属连接电键合,同时通过层间电介质(ILD)物理键合。TSV与Cu-Cu混合键合相比几乎没有缺点:TSV需要一种称为深硅蚀刻机的特殊制造设备。TSV的制造需要其周围的隔离区(KOZ),这是需要没有任何电路的间隙区域。这限制了电路设计者可用于电路设计的区域。TSV仅提供基板...

选择性湿蚀刻和腐蚀工艺的基础研究

此外,MHM允许一个关于蚀刻速率控制的宽工艺窗口,允许蚀刻高方面的定量结构,保护ILD材料免受等离子体蚀刻过程引起的损伤,并在通过和沟槽图案步骤中作为ILD和光刻胶之间的界面。当使用聚合物ILD时,这是至关重要的,因为光刻胶和聚合物ILD之间的干性蚀刻选择性很难达到。蚀刻策略依赖于在沟蚀刻过程中消耗最多的光刻剂,...

OLED柔性显示的一些关键工艺如柔性衬底材料,薄膜封装概要介绍

在层间电介质(ILD)沉积之后,然后进行低于450℃的退火以激活注入的掺杂剂并增强TFT特性。然后通过金属层形成触点和源/漏电极。得到的TFT结构如图2所示。图2.P型TFT结构图图3为采用低温半导体工艺制备的p型TFT的Id-Vg曲线,其特征是漏极电压分别为0.1V和10V,PTFT的尺寸为3μm/3μm,在玻璃基板上具有高...

半导体集成电路的发展及封装工艺面临的挑战

当作为金属层间绝缘材料的二氧化硅被低介电材料(K值小于3)所取代时,新的ILD层比传统的ILD层更脆,而且具有相对较差的导热性和机械强度,与金属层的粘结力与传统的二氧化硅材料相比较小。低k材料的引入给半导体封装中的划片(DicingSaw)和焊线(WireBonding)工艺带来了挑战[6]。4在划片工艺中金属层与ILD层的分层...

Intel展示0.18微米铝工艺

的ILD的k值。Intel宣称借助使用低k值的层间绝缘体并改变金属导线的截面比(高比宽)以降低窄线时阻抗的办法,使其0.18微米工艺比IBM公司的铜工艺更快,而且工艺成本也低。这种工艺生产的一种测试芯片含有超过1亿个晶体管的16-MbitSRAM,能够以900MHz的速度运行。这种SDRAM...

从砂到芯:芯片的一生

芯片前期工艺包括光刻、干蚀刻、湿蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子冲洗、湿洗、热处理、电镀处理、化学表面处理和机械表面处理等,其中多个工艺会重复使用,非常复杂(www.e993.com)2024年11月1日。每个前期工艺都对应着相应设备,包括光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入设备、热处理设备(氧化退火设备)、化学机械平摊(CMP)设...

半导体设备行业专题报告:CMP,“小而美”,国产装备崛起

ILD-CMP/IMD-CMP:ILD-CMP指的是层间介质(ILD)抛光,IMD-CMP指的是金属内介电层(IMD)抛光,主要抛光对象是二氧化硅介质。作为芯片组件隔离介质,集成电路制造工艺中最常被使用的介电层是相容性最佳的二氧化硅介质。二氧化硅膜的CMP大多应用在层间绝缘膜及组件间的隔离(Isolation)平坦化工艺中。

一文带你了解CMP设备和材料

晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化CMP则主要用于衔接不同薄膜工艺,其中根据工艺段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工艺主要为STI-CMP和Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层ILD-CMP、IMD-CMP以及金属层...

一文详解CMP设备和材料|硅片|抛光|cmp设备_网易订阅

晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化CMP则主要用于衔接不同薄膜工艺,其中根据工艺段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工艺主要为STI-CMP和Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层ILD-CMP、IMD-CMP以及金属层...

国产化率还不到10%!一文看懂国产半导体材料

晶圆制造材料中,硅片为晶圆基底材料;掩膜版用于光刻工艺底板;光刻胶用于将掩膜版上的图案转移到硅片上;靶材用于薄膜沉积;电子特气用于氧化、还原、除杂;湿电子化学品用于清洗、刻蚀;抛光材料用于实现平坦化。封装材料中,封装基板与引线框架用于保护、支撑芯片及建立芯片与PCB间的连接;键合丝用于连接芯片和引线框架;...