困住英伟达的封装技术?台积电详解CoWoS-L,分享芯片未来

例如,负位线(NBL:negativebit-line)写入辅助技术应用于将HDSRAM的SRAMVmin降低300mV以上(如上图所示)。为了满足未来计算工作负载中日益增长的内存性能需求,SRAM设计和缓存内存架构的系统技术协同优化(STCO)已变得至关重要。3D芯片堆叠技术将缓存附加在高性能处理器之上,可显著提高带宽和功耗,并...

ISSCC2024 台积电:半导体技术创新与市场趋势

例如,负位线(NBL)写入辅助技术的应用使HDSRAM的Vmin降低了300mV以上。为了满足未来计算工作负载对内存性能日益增长的需求,SRAM设计和高速缓冲存储器架构的系统技术协同优化(STCO)变得至关重要。在高性能处理器上附加高速缓冲存储器的三维芯片堆叠技术具有显著的带宽和功耗优势,并已应用于高性能计算产品中。●先进封...

BCD技术科普:模拟、数字和电源设计的统一方法

ISONBL(隔离N型埋层)——用于实现不同电压下工作的电路之间的隔离或防止噪声通过公共P衬底耦合。它用作P衬底内的N型掺杂剂埋层。该层有效地将衬底的不同区域彼此隔离,防止意外的电气相互作用并减少电路之间的噪声传播。ISONBL有助于最大限度地减少通过衬底的噪声耦合。SUBISO(隔离基板)——数字...

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

NBL(Nanobeam)NanoBeam是一家英国公司,成立于2002年,主要生产高性能和高性价比的电子束光刻工具。据媒体报道,2016年,徐州博康收购了NBL落户徐州经济技术开发区,并将在园区内主要生产电子束光刻机、扫描电镜、高压电源以及电子束枪、无磁电机等高科技产品。NBL的电子束光刻机线宽小于8nm的工艺,相关产品已销往因英...

半导体光刻胶行业研究:破晓而生,踏浪前行

卡位IC制造关键光刻工艺,光刻胶承载着半导体制造材料市场中不可或缺的6%。在芯片制造过程中,光刻环节耗时最长(约40-50%),成本占比最大(约1/3),而光刻胶是光刻工艺中重要的耗材,承载着微纳电路图形从掩模版到晶圆上的转移作用,产业重要性十分突出。光刻胶市场规模在所有半导体材料中占比约6%,价值...

台积电5nm SRAM技术细节

图11中使用WriteAssist的测量结果显示NBL将Vmin提高了300mV,而24%LCV则将Vmin提高了300mV以上(www.e993.com)2024年11月13日。图11.(a)金属电容器增强的写辅助WAS-NBL方案和(b)金属电荷共享电容器WAS-LCV方案的测量结果。高迁移率通道通过约18%的驱动电流增益提高了5nm工艺的性能,如图12所示。该技术已在IEDM2019上进行了详细描述。