...不改变芯片设计以及不增加制备工艺前提下实现物理量测量降低成本

该芯片封装结构,包括:基板、芯片、第一金属焊盘、第二金属焊盘、第一金属线与封装层;芯片位于基板上;第一金属焊盘位于基板上或芯片上;第二金属焊盘位于基板上或芯片上;第一金属线一端与第一金属焊盘固定连接,另一端与第二金属焊盘固定连接;封装层位于基板上方,且包裹芯片、第一金属焊盘、第二金属焊盘以及第一金属...

...理工大学团队开发具有原位自增密效果的陶瓷基复合材料快速制备...

在北理工张中伟教授团队研发的ViSfP-TiCOP工艺中,制备C/SiBCN-M的新型工艺流程包括前驱体合成、纤维布叠层及最终的固化裂解。首先固态聚硅硼氮烷、液态乙烯基聚硅硼氮烷和无机填料以正己烷为溶剂进行共混,形成挥发份少(<3wt%)、高粘度(常温粘度106mPa·S)体系,该体系具备无机填料稳定负载能力;提出引入金属Ti作为...

热门赛道 | PVD(物理气相沉积),半导体关键前道工艺

原材料供应:上游产业主要包括PVD工艺所需的材料供应商,如金属靶材(钛、铬、铝等)、陶瓷靶材(氮化钛、氧化铝等)以及一些用于镀膜过程中的气体(如氮气、氩气、氢气等)。零部件供应:包括用于制造PVD设备的关键组件和材料,如真空泵、离子源、电源系统、气体控制系统和靶材冷却系统等。这些零部件的质量和性能直接...

扬杰科技申请半桥整流芯片及其制备方法专利,有效降低封装工艺步骤...

金融界2024年9月4日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“半桥整流芯片及其制备方法“,公开号CN202410623601.1,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,半桥整流芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装,封装工艺流程复杂,封装...

中巨芯:公司电子化学材料产品主要用于集成电路芯片的清洗、刻蚀...

中巨芯:公司电子化学材料产品主要用于集成电路芯片的清洗、刻蚀、成膜等工艺制造环节同花顺(300033)金融研究中心06月28日讯,有投资者向中巨芯提问,公司在光刻胶领域目前所处行业地位如何?市场占有率多少?公司回答表示,尊敬的投资者您好,公司电子化学材料产品主要用于集成电路芯片的清洗、刻蚀、成膜等工艺制造环节。

钙钛矿,8大项目签约落地

近日,山东能源100MW中试线+1MW示范项目落户济南,项目一期计划投资3.5亿元,主要开展单结钙钛矿光伏电池制备与百兆瓦产线集成科技示范工程,进行高效稳定钙钛矿材料配方制备研究,改良制备工艺,建成100MW钙钛矿光伏电池中试产线,示范应用1MW以上(www.e993.com)2024年11月17日。二期主要开展GW级钙钛矿光伏电池产线建设、钙钛矿光伏电池产业化生产及推广应用,提高...

湖南大学科研团队提出一种新的芯片三维集成工艺

针对这一挑战，湖南大学刘渊教授团队报道了一种低温的范德华单芯片三维集成工艺。在该工艺中，源/漏/栅电极、层内互连金属、高κ栅介电质、低κ层间介电层和层间垂直通孔等电路功能层首先预制备在牺牲晶圆上，之后在120℃的低温下范德华集成到半导体晶圆上。通过逐层集成范德华预制备电路层和半导体层，团队实现...

扬杰科技申请提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法专利...

金融界2024年6月14日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法“,公开号CN202410623600.7,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装,封...

扬杰科技申请单芯片集成半桥及其制备方法专利,降低封装工艺步骤和...

扬杰科技申请单芯片集成半桥及其制备方法专利,降低封装工艺步骤和成本,二极管,半导体,单芯片,扬杰科技,集成半桥

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

随后去除光刻胶,并利用化学刻蚀(ChemicalEtching)工艺去除多余的薄金属膜,然后在晶圆表面制备绝缘层(DielectricLayer),并利用光刻工艺去除锡球(SolderBall)放置区域的绝缘层。因此,绝缘层也被称为“阻焊层”(SolderResist),它是晶圆级芯片封装中的钝化层(PassivationLayer),即最后的保护层,用于区分锡球放置区域。