MAU3202芯片发布,联芸科技完善存储产品布局,为品牌跃升注入新动力

另外,MAU3202的闪存接口速率最高为3200MT/s,达到行业领先水平;搭配该嵌入式存储主控芯片的终端产品,可以充分发挥UFS3.1标准下的理论极限速度,为用户提供极速体验。值得注意的是,MAU3202还集成了联芸科技自主研发的第三代AgileECC技术,提供先进的纠错能力和自适应功能,可确保数据存储的可靠性。据联芸科技介绍,MAU320...

存储国产品牌全线表现亮眼,固态硬盘和内存拿下双冠军;NAND原厂12...

2、群联潘健成:NAND原厂或将在12月减产3、美国要求台积电及三星对中国大陆客户停供7纳米AI芯片4、三星电子扩建HBM等半导体封装工艺5、韩国11月前10天半导体出口额达32.8亿美元,占总出口额22%6、华硕:Q4需求不明确,可能“旺季不旺”,PC业务营收将环比减少15%1、存储国产品牌全线表现亮眼,固态硬盘和内存拿...

MAU3202芯片发布,联芸科技完善存储产品布局

作为联芸科技首款嵌入式存储主控芯片,MAU3202的推出,标志着联芸科技在产品布局上的又一重大进展,为品牌加速向上注入新的活力。至此,在数据存储主控芯片领域,联芸科技已完成了从固态硬盘(SSD)主控到嵌入式存储主控的双赛道布局;在接口方面,已实现从SATA、PCIeGen3、PCIeGen4、PCIeGen5及UFS3.1等接口标准的全覆盖...

江波龙:自研 SLC NAND 闪存累计出货已突破 1 亿颗

目前,江波龙已有512Mb、1Gb、2Gb、4Gb、8Gb共5种容量自研SLCNANDFlash存储芯片产品,分别采用4xnm、2xnm工艺且均已实现量产,为客户提供多种电压、多种封装、多种接口的SLCNANDFlash存储解决方案。2024年上半年,江波龙基于2xnm推出新一代2GbitSPINANDFlash芯片产品,接口速度高达166MHz,并支持DTR(双倍传输...

三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

其中SK海力士也在开发400层的NAND闪存,目标是在2025年年底做好大规模生产的准备。三星的时间表其实差不多,大概在2026年初。在传统的NAND闪存芯片中,存储单元堆叠在外围电路上方,外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时,堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题,三星正在开发第10代V-NAND技术,打算使用一种...

联芸科技申请闪存控制芯片的验证方法和系统专利,大大缩短验证时间

金融界2024年8月25日消息,天眼查知识产权信息显示,联芸科技(杭州)股份有限公司申请一项名为“闪存控制芯片的验证方法和系统“,公开号CN202310196507.8,申请日期为2023年2月(www.e993.com)2024年11月22日。专利摘要显示,公开一种闪存控制芯片的验证系统及方法。该系统通过模拟固件行为的固件行为模拟器,缩短了CPU对固件的调度耗时...

芯片制造商铠侠:在北上的工厂开始生产闪存芯片

芯片制造商铠侠:在北上的工厂开始生产闪存芯片芯片制造商铠侠:在北上的工厂开始生产闪存芯片。

业界最高密度,西部数据预览 BICS8 2Tb QLC NAND 闪存芯片

IT之家6月14日消息,西部数据在前不久的投资者活动上预览了2Tb容量版本的BICS8(218层)QLCNAND芯片,这也是业界目前最高密度的闪存芯片。该存储颗粒专为满足数据中心与AI存储需求设计,可进一步降低高容量企业级固态硬盘成本,满足越来越庞大的数据存储需求。

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

存储芯片业绩反转悄然而至？存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利同比暴增14倍，长电科技巨资收购全球第二大NAND闪存供应商子公司股权后应声涨停财联社3月9日讯（编辑俞琪若宇）AI热潮下存储芯片需求量正迎来明显增长，价格随之持续攀升。SK海力士周四表示，今年将投资10亿美元发展高带宽内存技术。公司曾在2月底宣布...

铠侠亮相UFS 4.0闪存芯片:1TB容量 6月份供应

铠侠最新一代UFS4.0闪存芯片近日亮相,提供256GB、512GB和1TB容量规格。这款新型闪存芯片能够显著提升5G网络的使用效率,并且下载速度更快,同时延迟时间大幅降低,为用户带来更好的体验。此外,新闪存芯片采用了铠侠的BiCSFlash3D闪存技术和主控芯片,并集成了MIPIM-PHY5.0和UniPro2.0技术。它支持每通道最高达到23.2...