中国芯片制造技术突破,65纳米光刻机登场,国产化进程加速

近期，我国在芯片制造领域取得了重大突破，自主研制的65纳米氟化氩光刻机成功问世。短短几年间，我们从90纳米的水平迅速提升至65纳米，这一成就背后有着不为人知的努力与坚持。光刻机是芯片制造的核心设备，犹如芯片生产的“照相机”。过去，这一技术长期被国外企业垄断，使我们在芯片制造过程中受制于人。然而，现在...

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

氟化氩光刻机里比较先进的那种，照明波长是193nm，分辨率最多是65nm，套刻最多是8nm。看这台光刻机的技术参数就能知道，我国的光刻机技术有重大突破了，它8纳米的套刻精度在全球都算比较高的。这款新的国产光刻机一问世，好多外国媒体都惊叹中国先进技术的发展速度真快。还有啊，光刻机的研制牵扯到好多不同的...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

民众热切期盼国产光刻机技术取得突破,这一愿望源于对国产芯片摆脱外部制约的强烈渴望。对于这一现代半导体工业集大成的领域,国产光刻机究竟走到哪一步了?“在西方技术层层封锁下,国产8纳米光刻机横空出世!”“工信部官宣14nm国产光刻机,距离ASML的EUV光刻机还有多远?”日前,工信部正式发布了《首台重大技术装备推...

中国光刻机技术实现重大突破,美国的制裁不灵了

目前我国100%国产化且具有完全自主知识产权的光刻机,是2020年研制的180纳米制程光刻机,完全自主可控,与世界先进水平差距巨大。而此次工业和信息化部发布的国产氟化氩光刻机,缩小了我国光刻机与世界先进水平几十年的差距,战略意义极其重大。假如我国持续在光刻机领域发力,实现类似极紫外光刻机技术的突破,每年单单...

光刻机技术取得巨大突破

“我国光刻机技术取得巨大突破，可以自主生产350nm芯片了！”350nm？是不是怀疑我说错了？其实今天并不是要聊中国芯片，而是听听北边邻居的“斯拉夫笑话”。据塔斯社报道，俄罗斯最新的350纳米工艺的光刻机已经组装完成，并且通过了测试，很快就可以投产。初看这则新闻时，我也严重怀疑稿件是不是多打了一个零，要...

专家访谈精华:国产光刻机突破65纳米

中国称在自主芯片制造设备开发方面取得突破》摘要■中国工业和信息化部(工信部)近日宣布在芯片制造设备的自主研发方面取得突破,特别是在激光浸没式光刻机技术上取得了显著进展(www.e993.com)2024年11月11日。■建议的设备分辨率为65纳米或更高,相比此前最先进的国产设备(上海微电子的90纳米光刻机),实现了重大提升。

中国芯片加速5纳米量产,以现有设备实现先进工艺的突破

如今这项多重曝光技术得到中国芯片行业的青睐,则在于中国芯片行业难以得到EUV光刻机,选择多重曝光技术实属无奈,但是如果采用这项技术实现5纳米工艺,对于中国芯片行业来说则是重大突破。由于众所周知的因素所影响,中国的手机芯片、AI芯片等等都无法由台积电以先进的5纳米工艺生产,这对中国芯片行业影响巨大,毕竟更先进的...

港媒:国产光刻机公布重大技术突破,但半导体自给之路仍任重道远

近日,香港知名国际媒体《南华早报》刊载文章称,根据中国工业和信息化部(MIIT)的消息,中国近期推出了两种国产的半导体光刻机械,这些设备在深超紫外(DUV)光刻技术上取得了重大的技术突破,并且拥有自主知识产权。这两种机械尚未有过公开的市场表现,但据可靠消息称,其中一种能够在193纳米(nm)波长下工作,分辨率低于65nm,重...

芯碁微装2023年年度董事会经营评述

芯碁微装2023年年度董事会经营评述内容如下:一、经营情况讨论与分析纵观2023年度,受终端市场景气度疲软、经济发展放缓等宏观因素的影响,全球PCB及半导体市场面临较大压力,公司积极面对外部不确定性因素,始终秉承“成为国产直写光刻机

对话纳米压印技术发明人周郁:用变革性的新技术突破光刻瓶颈!

前不久,随着佳能公司全球首个纳米压印半导体制造设备FPA-1200NZ2C的推出和交付,宣告着纳米压印技术在半导体集成电路制造商业化进程再迈出重要一步,展现出了在半导体领域替代或补充传统光刻技术的巨大潜力,备受业界关注。据悉,佳能的新系统降低了功耗和成本,可实现最小线宽为14nm的图形化,相当于5nm芯片节点。尤为值得...