工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列

工信部推广国产重大技术装备突破,套刻精度≤8nm的光刻机在列为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化氩光...

重大突破!国产光刻胶通过量产验证

比如，在光刻胶的研发和生产中，需要利用光刻机进行测试和调整。不说目前ASML这样龙头厂商所在地区对我国实施技术封锁。就单从光刻机购置以及维护成本来说就非常高昂。这对于许多国内企业来说是一个较大的负担。小公司负担不起，对于一些大公司而言，因为经济效益不高，从事意愿也不高。产业比较小众，从业人员也较少。

图说光刻机的4大核心技术

EUV光刻技术是当前最尖端的光刻技术,它允许芯片制造商继续按照摩尔定律缩小晶体管尺寸,提高芯片的性能和能效。ArFi(ArF浸没式光刻):ArFi是"ArgonFluorideImmersionLithography"的缩写,指的是使用ArF(氟化氩)激光源的浸没式光刻技术。ArFi光刻技术使用193纳米波长的光源,通过浸没式在光刻机镜头和硅片之间使用液体(...

禁令方向反了?国产光刻机获突破,套刻精度小于8nm

据悉，国产光刻机突破事件引发外媒关注，他们发现发现光刻机禁令简直就是笑话，非但没有阻止中国光刻机崛起，反而助中国光刻机更上一层楼，就连半导体制造水平落后的俄罗斯也有重大突破，光刻机崛起已是大势所趋。众所知周，俄罗斯的军事实力毋庸置疑，但其半导体水平却是相对落后的，与西方的差距超过20年，但俄罗斯...

国产晶圆代工迎来技术突破:28nm逻辑工艺通过验证

近日,国内晶圆代工企业合肥晶合集成电路股份有限公司发布公告,宣布在新工艺研发上获得了重大进展。根据公告,晶合集成成功通过28nm逻辑芯片的功能性验证,为企业后续28nm芯片顺利量产铺平了道路,也加速了28nm制程技术商业化的步伐。据介绍,晶合集成的28nm逻辑平台可支持

光刻机重大突破!国产替代主旋律下,三大关键领域或率先爆发!

9月18日光刻机概念股集体高开,人气龙头张江高科竞价涨停,同飞股份、海立股份、富乐德等涨超10%(www.e993.com)2024年11月1日。消息面上,工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm)和氟化氩光刻机(65nm)的内容。

国产光刻机重大突破 工信部印发推广指导

消息面上,为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用,加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同,工信部于9月9日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》(以下简称《目录》)通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化氩光刻机(65nm)等集成电路关键生产设备。

国产光刻机取得重大技术突破 多只光刻机股涨停

受国产光刻机取得重大技术突破的利好刺激,周三(9月18日),A股市场中的光刻机板块大幅上扬,多只股票强势涨停。近日,工信部发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》。该文件显示,在电子专用装备目录下,集成电路设备方面:氟化氩光刻机,光源193纳米,分辨率≤65nm,套刻≤8nm。中国首台(套)重大技...

国产光刻机突破28nm了吗

01工信部签发的通知文件提及国产光刻机技术指标,表示国产DUV光刻机取得重大突破,甚至传出了国产DUV光刻机突破8nm工艺的说法。02然而,国产光刻机的分辨率仍受制于数值孔径和浸没式光刻技术,目前尚无法达到28nm工艺要求。03为了提高分辨率,工程师们创造了许多令人赞叹的技术,如相移光罩、模型光学临近效应修正、过蚀刻...

国产光刻机已取得重大突破!

9月19日消息,从工业和信息化部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》来看,国产光刻机已取得重大突破,氟化氩光刻机套刻≤8nm。在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,也公布了氟化氩光刻机其他的核心技术指标,晶圆直径300mm,照明波长193nm,分辨率≤65nm。此外,...