我国首个!这一领域,有望打破长期垄断

作为新型功能性材料,PEN材料在5G通讯、光伏及氢燃料电池膜电极、航空航天和原子能材料等领域拥有广阔应用前景。但其关键单体2,6-萘二甲酸的制备技术长期被国外垄断,严重制约着我国PEN产业的发展。“煤科院技术团队历时6年攻关,研发了国内外首创的微通道反应器连续合成煤基2,6-萘二甲酸成套新工艺及装备。

国产芯片迎来好消息,半导体材料跻身全球前六,突破日本垄断

数据显示，在半导体行业的19种关键材料中，日本有14种材料的市场占有率超过了50%，这一数据确实令人震撼。不过，近期中国市场传来了振奋人心的消息：上海沪硅产业的硅片产能已经达到了每月30万片，并预计在年底前实现每月45万片的产能，成功跻身全球前六。这意味着中国企业在半导体材料这一关键环节取得了突破，国产芯片...

【IC风云榜候选企业90】通格微:持续深耕半导体新型材料领域 致力...

获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。候选企业湖北通格微电路科技有限公司(以下简称:通格微)候选奖项年度市场突破奖、年度技术突破奖玻璃基板被认为是支持AI芯片爆炸式增长所需的下一代先进半导体封装技术的关键材料。凭借其超越常规的物理化学特性,玻璃基板不仅弥补了有机基板的短板,更...

2024年度中国第三代半导体技术十大进展揭晓

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲发布2024年度中国第三代半导体技术十大进展。2024年,我国第三代半导体技术与产业发展日新月异。在快速变化的浪潮中,为了更好的把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展,为行业发展提供清晰视角,激励更多创新,大会程序委员会倡议,启...

技术突破与产业发展并重!到2030年广东将打造千亿级光芯片产业集群

在技术发展方面，《行动方案》强调要突破产业关键技术，强化光芯片基础研究和原始创新能力，支持光芯片技术攻关，并加大“强芯”工程对光芯片的支持力度。其中，加大对高速光通信芯片、高性能光传感芯片、通感融合芯片、薄膜铌酸锂材料、磷化铟衬底材料、有机半导体材料、硅光集成技术、柔性集成技术、磊晶生长和外延工艺、...

国产半导体设备实现关键突破!

近日,天津大学先进材料团队在氮化铝、氮化硅陶瓷半导体设备耗材高精度加工方面取得突破,研发出低损伤超精密制造系统,助力我国半导体关键耗材自主可控(www.e993.com)2024年11月27日。相关研究成果在线发表于《极端制造》。此次,该校团队自主研发的主轴微纳调控超精密制造系统,成功解决了硬脆材料在精密加工过程中极易出现的表面/亚表面损伤问题,实现了氮...

天岳先进: 山东天岳先进科技股份有限公司2023年年度报告

关键环节,深耕技术突破,建立领先竞争优势。期战略合作,加大前瞻性技术布局和人才培养,致力于成为国际著名的半导体材料公司。??????(一)公司经营情况??????公司围绕公司长远发展战略目标,本年度公司经营进展情况良好。公司加快上海临港工厂投产进度,上海工厂已于年中顺利开启产品交付。同时上海临港工厂实现...

斯达半导: 2023年年度报告

????????近年来,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。由于??SiC??在高功率、高温应用应用上比GaN??更有优势,目前??SiC??功率器件在新能源汽车行业迅速发展,市场规模增长快速。根据??yolo??数...

GMIF2024,与态坦测试一起见证存储芯片测试领域的全新突破!

公司布局了存储芯片ATE测试机、BI老化测试机、SLT测试机、SSD模组测试装备和DDR模组测试装备等系列产品,涵盖量产及研发工程机,助力DRAM及NANDFash领域测试装备的国产化突破,同时公司办在半导体测试关键材料及治具方面深入研究,能够为客户提供全方位的测试设备交付和维护服务。公司针对存储芯片到模组的生产测试,推出了国内...

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

IEEEIEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议,是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛,其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测...