高性能太赫兹半导体激光器:从技术到应用|上海市科学技术奖

研究团队抓住激光器工作时导带电子起主要作用的特点,充分发挥团队在太赫兹物理方面的优势,专注于研究激光器内部电子的输运和散射机制,独立发展了基于蒙特-卡洛方法的太赫兹半导体激光器模拟方法,提出了高工作温度激光器有源区结构。通过单声子阱的创新设计,延长了上能级的电子寿命,提高了有源区的注入效率和抽取效率;同时优...

【复材资讯】Nature: 半导体/金属超晶格和间隙型嵌入机制的首次发现

然而,人们对于氮化镓中的镁原子扩散行为和掺杂激活机制,特别是镁在氮化镓晶格中的溶解度低和易析出的特性,仍缺乏足够深入的理解,这限制了p型氮化镓在光电子和电力电子器件中发挥应有的卓越性能。二、研究亮点—二维镁嵌入氮化镓式超晶格的发现(2024年)由名古屋大学天野浩团队研究发现,将氮化镓与金属镁两种材料在...

激光尘埃粒子计数器内光源选择:半导体激光管OR氦氖激光管?

半导体激光管,也被称为激光二极管(LaserDiode),是一种利用半导体PN结将电流转换成光能并产生激光的电子器件。其基本原理是利用电子和空穴复合时产生的光。半导体激光管具有优异的指向性和直进性,且易于控制能量,因此被广泛应用于光通信、医疗、感测、数据存储和休闲娱乐等多个领域。在激光尘埃粒子计数器中,半导体激光...

中国科大在半导体材料碲中发现巨大且可调的室温非线性霍尔效应

在此基础上,研究团队利用射频激励取代交流电流驱动,进一步实现了显著的无线整流效应,在较宽的0.3~4.5GHz频率范围内实现了稳定的整流电压输出。结合进一步的实验和理论分析,室温非线性霍尔效应主要由外禀散射机制主导,而薄片结构的表面对称性破缺起到了重要作用。该工作进一步加深了对固体中非线性输运的理解,同时也为设计...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

2、第二代半导体材料:第二代半导体材料主要包括化合物半导体材料,例如砷化镓(GaAs)、铟锑化物(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;固溶体半导体,如锗硅(Ge-Si)、砷化镓-磷化镓(GaAs-GaP);玻璃半导体(非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;以及有机半导体,如酞菁、铜酞菁、聚丙烯腈等。这些材料主要用...

超快激光诱导分解:GaAs半导体材料的选择性激活

利用飞秒激光可以定点对GaAs表面实现图案化和元素分解,通过与化学还原反应结合,可以形成金属-半导体化学键(www.e993.com)2024年11月15日。如图4所示为制备的银-砷化镓杂化结构,可用于表面增强拉曼光谱分析。图4:Ag-GaAs杂化结构及表面增强拉曼(SERS)结果本文研究了飞秒激光诱导的二元化合物元素分解及单质定向迁移,并利用第一性原理对其成因进行了理论...

下一代半导体:二维材料未来7年路线图

3D集成技术的进步主要集中在利用2D半导体与硅基CMOS电路的后端(BEOL)集成。该策略有望提高芯片级能效并扩展硅基芯片的功能。例如,与CMOS电路集成的2D半导体存储器和传感器可以提高整体芯片性能。这使其成为开发高性能、节能集成电路的关键途径。

康普顿散射成像技术发展及应用

基于对探测布局灵活,对低原子序数材料灵敏,支持原位实时三维成像等独特优势,CSI(含CST)设备在许多领域也有重要应用,但受其成像原理机制影响,也普遍存在射线利用率低、空间分辨一般、图像信噪比差等问题,制约了该技术发展及应用。这主要由于散射射线方向杂乱,在特定方向上的散射探测器所能接收的信号量不足同等规格透射探测...

一篇文章看懂“半导体”产业链!

所以芯片产业的第一台设备就是“单晶炉”，先把硅料做成硅棒，然后切成硅片，半导体领域叫晶圆。现在一般常用的是8寸和12寸，尺寸越大芯片的制造成本就越低，但是技术难度更高。这个国内的北方华创和晶盛机电当之无愧的双雄，北方华创比较偏向半导体，晶盛机电比较偏向光伏。这两家公司都分析过多次，未来也还会继续讲...

科学家造出有机半导体玻璃薄膜,能用于制备OLED显示器

而当将有机半导体玻璃薄膜沉积到柔性衬底上，则有望直接用于柔性显示器之上。图|罗鹏（来源：罗鹏）只要冷却速度足够快，任何材料都能形成玻璃玻璃材料，也可称为非晶态材料，是指微观结构无序的一类材料。除了主要成分为氧化硅的窗户、酒水瓶、光纤等我们一般认知的玻璃，塑料、橡胶、显示器的有机半导体发光薄膜...