基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
2.选择MOS管(电路拓扑已选P沟道)选择MOS管时,主要考虑栅源电压(Ugs,通常约为20V)、漏源电压(Vds,此设计为36V)、漏极持续电流Id。在本设计中,假设电源最大输出电流为100mA(举例而已,其它电流下的设计方法类似),为方便计算又不失可靠性,所有参数的降额系数取0.7~0.8,则所选MOS的参数要求如下:Ugs=20V,Vds=...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
另一种工作状态是MOS管的高侧状态从高电平变为低电平时,这是漏极衬底二极管开始导通的时间,MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C...
开关电源电路设计的10个经验
以我们常用的BUCK电路为例,如下图:控制IC的地一般是与输入电源的地共地的,而MOS管的S极与输入电源的地之间还有一个二极管,所以控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极,而需要额外的驱动电路或驱动IC,比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。当然还有另外的方式,那就是采用别的方式给控制IC...
常用的MOS做电源开关电路的设计_腾讯新闻
1、当输入信号HIN为0时,图2右上角的高侧MOS关断,低侧MOS导通。外部高侧NMOS的GS通过内部的低侧MOS来迅速放电,使外部高侧MOS关断。于此同时,外部低侧MOS导通,半桥输出电平为0V,可近似看作自举电容的低边直接接到了GND上,构成了自举电容的充电回路。这时自举电容会在二极管的辅助下,择机充电。2、当输入...
超详细|开关电源电路图及原理讲解
功率变换电路1、MOS管的工作原理:目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管),是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态,所以输入电阻可以大大提高,最高可达105欧姆,MOS管是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
NMOS和PMOS详解
使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;同理若使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计(www.e993.com)2024年7月31日。NMOSPMOSCMOSCMOS门电路由PMOS场效应管和NMOS场效应管以对称互补的形式组成,先介绍MOS管,然后再...
这些MOS管广受好评,威兆历年拆解案例汇总_腾讯新闻
随着快充的飞速发展,快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升,同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业,拥有创新,稳定,高效率,低成本的整体解决方案,同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWERMOSFET分立...
还不会设计直流伺服放大电路?详细步骤+元件清单+工作原理
晶体管Q5是恒流电路,作为输出mos管的偏置,可以通过调节VR1调节,使电路稳定性更好,应谨慎选择VR1。3、保护mos管功率mos管的栅极有稳压二极管,防止输入信号高于14V造成mos管会损坏。4、防止mos过载过载时,mos管的温度更高,mos管的电阻也更高(在普通晶体管中,电阻会降低),因此通过...
这设计手机无论大小都能很好充电,vivo 50W立式无线充电器2拆解
拆下屏蔽罩,内部设有无线充电电路,主控MCU和降压电路。PCBA模块正面一览,在中间位置焊接无线主控芯片,左上方为主控MCU。在右上角为降压电路,为无线充电主控芯片和主控MCU供电。右下角为升压电感和MOS管。左侧四颗MOS管用于无线充电线圈切换,下方四颗MOS管用于无线充电线圈驱动。
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
1、开关速度低于MOS管。2、因为是单向的,在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。3、不能阻挡更高的反向电压。4、比BJT和MOS管价格更高。5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题IGBT的主要参数:1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,...