2024年高带宽存储器行业工艺技术分析 混合键合有望成为HBM主流...

高带宽存储器(HighBandwidthMemory,HBM)加工制造流程主要包括前端晶圆制造加工,以及后端Bumping、Stacking和KGSD测试环节。其中,相较于平面DRAM的制造流程,TSV(硅通孔)技术是HBM实现芯片垂直堆叠的核心工艺。——TSV工艺定义TSV技术是一种通过在硅芯片内部钻孔形成垂直贯通的电极并将多个...

如何查看手机内存使用情况与剩余空间分析

手机内存主要分为两种:RAM(随机存取内存)和ROM(只读存储器)。RAM用于临时存储正在运行的应用程序和数据,而ROM则用于存储操作系统、应用程序和用户数据。1.1RAM(随机存取内存)(RAM-RandomAccessMemory)RAM是手机运行速度的关键因素。它决定了手机在同时运行多个应用时的表现。如果RAM不足,手机可能会变得卡顿...

高通公司申请伪双端口SRAM专利,实现两种不同模式的读取操作

专利摘要显示,提供了一种存储器,该存储器被配置为实践两种不同模式的读取操作,诸如正常读取操作和突发模式读取操作两者。在一个示例中,该存储器是伪双端口存储器。该存储器可包括地址比较器以执行时分多路复用,从而首先将读取地址与存储的地址进行比较,并且然后将写入地址与该存储的地址进行比较。本文源自金融界...

大车规与小车规,车规级与功能安全的关系

非易失性存储器分类(来源:网络)特斯拉使用的eMMC寿命是3000次,类似我们现在常用的固态硬盘,基本都是TLC,MLC都是极少的,因为便宜,同等条件下存储量更大,但是寿命就要缩短很多。我们可以通过下面ISSI的一个eMMC的Datasheet看一下:MCL与SLC的区别(来源:IS21EF08GDatasheet)可见SLC模式比起MLC会有更高的耐用性。

深度解析特斯拉Model 3 逆变器的构造

这是MOSFET能够承受的最大漏极电流,为100安培。6.AEC-Q101认证7.非常快速且强健的内置体二极管8.极低的栅极电荷和输入电容9.非常高的工作结温能力(TJ=200°C)??主逆变器(电动牵引)??电动汽车/混合动力汽车的DC/DC转换器??车载充电器(OBC)...

存储芯片,中国什么时候能成?

存储芯片分类概述半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一(www.e993.com)2024年11月22日。存储芯片种类繁多,大类上,根据数据是否会在断电时消失,半导体存储器被分为易失性存储器(Volatilememory)和非易失性存储器(non-volatilememory)两大类。

“大芯片”的挑战、模式和架构

其中,CA指计算能力,BWoff-chip指芯片外带宽,BWintra-chip指芯片间或内核间带宽。其中,αoff-chip和αintra-chip是归一化的数据移动量,分别表示每次计算(以B/op为单位)从片外存储器和芯片(或内核)之间移动的数据量。现在,我们需要弄清楚CA、BWs和A之间的关系。随着系统规模的扩大,采用特定设计的大芯片的...

大车规与小车规,车规级与功能安全有何关系?

非易失性存储器分类(来源:网络)特斯拉使用的eMMC寿命是3000次,类似我们现在常用的固态硬盘,基本都是TLC,MLC都是极少的,因为便宜,同等条件下存储量更大,但是寿命就要缩短很多。我们可以通过下面ISSI的一个eMMC的Datasheet看一下:MCL与SLC的区别(来源:IS21EF08GDatasheet)...

新型存储器专题交流纪要

从读取性质又能分RAM随机性和ROM只读。从是否断电能保存数据，又分为易失性和非易失性。从实际产品上讲，易失性的主要产品就是DRAM和SRAM，它们速度很快，但是断电不保存数据了，所以叫易失性存储。SRAM是静态随机存取存储器，它的速度非常快，但是需要浪费大量晶体管来存储数据，...

MCU中有多少种存储器?

RAM的两种主要类型是静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。两者都需要施加电压来保存它们的信息。DRAM很简单,基本实现只需要一个晶体管和一个电容器。DRAM是所有内存技术中使用最广泛的一种。当集成到MCU中时,它被称为嵌入式DRAM(eDRAM)。与用作外部存储器的等效独立DRAM芯片相比,...