玉手镯里面有杂质,揭秘玉手镯中的杂质:如何挑选优质的玉石饰品?
首先,需要明确的块状一点是,翡翠是一种天然宝石,自然形成的很多翡翠晶体中往往会含有一些微小的空气不纯物质,这些不纯物质也被称为杂质。这些杂质的师傅种类和数量不同,会对翡翠的玉里质量和稀缺性产生重大影响。因此,翡翠中确实存在着一定程度的黑点杂质是无可争议的剔除事实。其次,翡翠中的玉镯杂质不仅包括了微小...
二极管(2)二极管的分类
总的来说,面接触型二极管在高频电路中的应用非常广泛,特别是在需要快速开关和低电容的场合。它们提供了一种有效的方式来处理高频信号,使得其在无线通信、雷达系统、广播等领域中发挥着重要作用。平??型??极管在半导体单晶??(主要地是N型硅单晶??)上,扩散P型杂质,利??硅??表??氧化膜的屏蔽作??,在...
硬核技术:铝熔炼铸造三个核心问题的探讨【SMM铝业大会】
第三、就是除渣,液态铝中的“渣”主要是Al2O3其余有MgO、SiO2等氧化物和氮化物,其与铝水是不润温,那么就要选择一种在高温铝水中以液态方式存在的物质,使其与氧化物有极好的润湿性能(只有液态物质才有润温之说),但其与高温铝液又完全不润温,其机理与水吸灰是一个道理。这时我们选择了NaCl/KCl(因为NaCl和K...
IBC电池行业研究:兼容并蓄的平台型技术
利用场钝化效应降低表面少子浓度,从而降低表面复合速率,同时还可以降低串联电阻,提升电子传输能力,可通过磷扩散或离子注入等技术形成;(2)背表面为采用扩散方式形成的叉指状排列的硼掺杂p+发射极Emitter和磷掺杂n+背场BSF。
《半导体芯片和制造——理论和工艺实用指南 》美国UIUC何伦亚克微...
谐振腔以及器件和设备中使用的部件;晶体管和集成电路,包括双极型晶体管、结型场效应晶体管和金属??半导体场效应晶体管;芯片制造的主要工艺,包括光刻、金属化、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热氧化和注入等;工艺设计和解决问题的技巧,例如如何设计干法刻蚀配方,以及如何解决在博世工艺中出现的...
达新半导体|张海涛:Si/SiC/GaN功率器件技术路线对比浅析
在杂质激活和扩散方面,硅器件最高可以使用到1300度,而且在高温时候一定伴随着扩散,因为在很低的温度下扩散系数已经很高了(www.e993.com)2024年9月11日。碳化硅器件目前激活使用的温度是1700度以上,在激活的同时几乎没有扩散,真正实现有效的扩散系数需要在2000度以上。从正面金属来讲,IGBT和碳化硅都采用的是单层金属,单层金属不一定是一种金属,可能...
多功能桌面型快速退火炉:高效退火,精准测温
2.杂质去除:高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去,减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性,减少杂质引起的能级或电子散射。3.衬底去除:在CMOS工艺中,快速退火炉可用于去除衬底材料,如氧化硅或氮化硅,以形成超薄SOI(硅层上绝缘体)器件。
光伏行业专题报告:晶硅电池待摘“明珠”,BC电池踏浪前行
2)选择性掺杂:传统扩散都是在扩散炉内进行的,利用热扩散原理,使杂质原子受热向晶硅体内扩散,但是扩散炉对电池片是整面加热的,无法对指定局部区域加热,所以电池片整个平面的掺杂浓度和扩散深度是相同的,但对于光伏电池来说,在金属电极与掺杂层接触处,杂质浓度高可以降低接触电阻,但电池俄歇复合速率提升,降低电池...
2024年南京邮电大学硕士研究生考试大纲
1.晶体学基础(晶胞、晶格参数、简单立方、体心立方、面心立方、六方密堆结构的堆积方式等)2.金属晶体的结构3.离子晶体的结构4.共价晶体的结构5.高分子材料的结构第三部分晶体缺陷1.点缺陷2.线缺陷3.面缺陷第四部分固体中的扩散1.扩散定律2.扩散微观理论与机制3.扩散的热力学分析...
光伏激光设备行业专题研究:激光在光伏中的运用
根据隆基乐叶专利,硼在硅材料中的扩散系数较小,且硼比磷的激活难度更高,导致硼掺杂工艺难度更大。目前产业内主要有掩膜刻蚀二次扩散法、丝网印刷法和激光掺杂法三种解决方案,均在SE磷掺杂基础上对应改进以匹配硼掺杂工艺。其中,掩膜刻蚀二次扩散法新增步骤和设备较多,导致经济性较差;丝网印刷法相较前者更为...