新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义
最低能量的天然受体缺陷是SnBi;SnBi高形成能创造了一个较大的n型可掺杂性窗口Edon~0.42eV。与KSnBi相比,Edon稍小,这可能是RbSnBi较大带隙的影响(Rb的电流强于K)。同样,与KSnBi的情况一样,由于在富rb生长条件下反位点BiSn缺陷的形成能较低,RbSnBi是天然掺杂n型与KSnSb、KSnBi和RbSnBi相比,NaGeP是一个相...
直击深圳国际半导体展:42家三代半厂商亮点一览
其中,3C-n型SiC衬底具有更高的电子迁移率(3C-SiC,1100cm??/V·s;4H-SiC,900cm??/V·s),同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度,可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性,能大幅度提高器件产品良率;而4H-p型SiC衬底是利用液相法生长的p型SiC衬底,具有低电阻、高掺杂浓度高品质等特点,能满...
天风证券:看好AI PC渗透率提升的产业趋势,对半导体设备国产替代...
上周创业板指数下跌0.79%,上证综指下跌0.22%,深证综指下跌0.49%,中小板指上涨0.58%,万得全A持平,申万半导体行业指数上涨1.29%,半导体行业指数领跑主要指数。半导体各细分板块分化明显,半导体设备板块领涨,分立器件板块跌幅最大。半导体细分板块中,IC设计板块上周上涨0.2%,半导体材料板块上周上涨0.8%,分立器件板块上...
晶体管技术新进展,CMOS有望被改变
p型非晶半导体的研究进展明显缓慢。尽管n型非晶氧化物半导体,特别是基于氧化铟镓锌(IGZO)的半导体在OLED显示器和存储器件中得到广泛采用,但p型氧化物材料的进步一直受到许多固有缺陷的阻碍。这一挫折阻碍了作为电子器件和集成电路基石的np型互补双极半导体(CMOS)的发展。长期以来,实现高性能非晶p型氧化物半导体器件一直...
火热的碳化硅持续“爆单”
据悉,科友半导体8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%,晶体厚度15mm以上。世纪金芯、青禾晶元等企业也表示研发已有所突破。世纪金芯突破了8英寸SiC关键技术,其开发的8寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体,8寸加工线也同步建成,将配套8寸单晶生长。通过进一步优化工艺,...
他,杰青+长江,Chemical Science副主编,新任安徽工业大学学术副校长!
南京大学龙亿涛教授等人发表研究表明,野生型溶血素纳米孔可以分解2到10个碱基长的单个短寡核苷酸(www.e993.com)2024年9月20日。溶血素的几何形状以及纳米孔和寡核苷酸之间的静电相互作用则可显著改善纳米孔的传感能力。研究还表明,野生型溶气素纳米孔可以区分单个寡核苷酸和混合物,并可以监测核酸外切酶I对寡核苷酸的逐步切割。
NP Plastibell 展示基于意法半导体 NFC 技术的创新型互联注射器
TechWeb5月13日消息,NPPlastibell发布了一款内置近场通信(NFC)标签的预充式互联注射器,让制造商、医务人员和患者能够查看重要的药物相关信息。该NFC标签来自服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)。这个微型NFC标签被NPPlastibell直接压铸到注射管内。当注射器装满...
第四代半导体金属锗飙升,美储量第一却不开采,我国为何出口?
半导体行业金属镓消费量约占其总消费量的80%-85%(长江有色金属网数据);据美国地质调查局USGS数据显示,从全球产量分布来看,中国的家锗金属产量占比最高,分别高达90%、68%,为保障国家重要战略资源的安全性,未来我国镓、锗的出口配额或将降低,国内或将加速推进高性能半导体材料的自主研发生产进程。
麦肯锡:后摩尔定律时代,DSA有无比光明的未来
半导体公司:为价值链中断做好准备材料供应商应该了解先进封装的影响(例如,需要能形成2D和3D集成基础的新基板材料,需要比现有基板材料具有更好的热稳定性和机械稳定性),以及新物理层范例对前端和后端物料流的影响。前端工具制造商想要参与支持DSA集成的先进封装和异构集成热潮,而这需要类似前端制造的精确定义和校准。
7月全球半导体市场持续高增,科创芯片ETF(588200)近3月份额显著增长
据SIA数据,24年7月全球半导体行业销售额达到513亿美元,同比+18.7%,环比+2.7%,继续保持着高增长的态势。华福证券研报指出,电子行业业绩回暖,创新驱动成长。为满足迸发的高性能运算需求,云服务巨头纷纷加注服务器市场,出货量稳步上升。受益于数据中心市场拉动,AI用存储需求表现强势,海外存储大厂产能重心有所转移,国内...