【受阻】进军印度受阻,高塔半导体重新提交晶圆厂建设申请

通威股份工作人员表示,公司产能满足满足硅料行业从P型向N型的转型需求,同时具备一定成本优势下,公司持续进行产能建设和扩张。此外,本次建设产能或将在2026年得到释放,或将对产业链价格产生进一步影响,与此同时,目前硅料价格接近前期底部,公司签约出货库存都处在正常水平。尽管当前光伏产业处于低点,但行业巨头纷纷推出巨...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝固定方向单向流动(单向光电流),这大大限制了其在特殊应用场景(例如高分辨多色成像、生物光电检测、便携式小型光谱仪、多通道光通信和光逻辑运算等)中的应用。近年来,脱离于经...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

1.通过引入具有强电子吸引能力的磷酸分子掺杂剂,可以调节宽带隙钙钛矿半导体的p型和n型特性;2.实现了超高亮度(超过1.1×106??cdm??2)和卓越的外量子效率(28.4%)的钙钛矿发光二极管。一、半导体的可控掺杂金属卤化物钙钛矿最近作为一种新型半导体出现,具有显著的光电性能,包括高载流子迁移率、可调的带隙、强光学...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。

基于醌式超窄带隙n型有机半导体实现高灵敏短波红外光探测

窄带隙有机半导体通常为D-A型结构,利用给体和受体单元之间的电子推拉效应来促进轨道杂化,实现带隙缩小(www.e993.com)2024年11月11日。除此之外,也可以通过增加共轭骨架的醌式构型含量,促进键长均一化和电子云离域来实现带隙的缩小。基于此,作者设计了一种A-D-Q-D-A型n-型有机半导体,BDP4Cl,以期望实现超窄带隙(图1a)。同时以不含醌式...

刘冰冰教授、李全军教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n...

在压力下,其光电流提升了3个数量级以上,且光谱响应范围扩展至1450nm近红外区。这些发现突显了压力工程在灵活高效调控光电特性方面的潜力,为设计高性能p型二维半导体提供了重要的指导。图1:通过压力抑制Nb原子沿着b轴的偏心,导致NbOI2发生C2到C2/m的半导体-半导体相变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。

深度!【东吴电新】协鑫科技:老牌光伏巨头,科技创新穿越周期

①金属杂质含量降低,提升下游产品转换效率:光伏电池技术正处于从P型向N型的转换期,对金属含量杂质提出更高要求。2024H1,协鑫科技颗粒硅品质再突破,公司颗粒硅基本全面实现5元素总金属杂质含量低于1ppbw;同时,5元素总金属杂质含量≤0.5ppbw产品整体比例提升至约95%;颗粒硅18元素总金属杂质的产品比例由2023年Q4的43.0...

拉普拉斯:被专利战围剿的隆基与晶科“影子股”

光衰、理论转化效率极限低等诸多因素让P型电池的边际贡献在不断削弱,而技术突破带来的综合性能更优的N型则成为厂商竞争的新舞台。2021年开始,以晶科为代表的头部企业率先投建N型产能;随着电池转换效率世界纪录被一次次刷新,行业性的、集中式的大规模资本开支呼之欲出。作为“卖铲人”之一的拉普拉斯迎来了周期红利...

半导体芯片,到底是如何工作的?

一方面,电子管容易破损,故障率高;另一方面,电子管需要加热使用,很多能量都浪费在发热上,也带来了极高的功耗。所以,人们开始思考——是否有更好的方式,可以实现电路的检波、整流和信号放大呢?方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。