储能圈:储能逆变器带动哪些半导体器件?
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的「CPU」。宏微IGBT模块IGBT竞争格局由于IGBT对设计及工艺要求较高,而国内缺乏IGBT相关技术人才、工艺基础薄弱...
技术文章—MOS管场效应管详解
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,...
电源中场效应晶体管四点使用心得,你知道哪一个?
我们知道场效应晶体管的种类繁多,根据结构不同分为结型场效晶体应管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅型场效应晶体管又称为金属氧化物导体场效应晶体管,或简称MOS场效应晶体管。1、防止绝缘栅型场效晶体应管击穿由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高,这本来是它的优点,但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高,...
干货| 技术参数详解,MOS管知识最全收录
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N...
详解由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程
逆变器,别称为变流器、反流器,是一种可将直流电转换为交流电的器件,由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成,主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回路、负载等部分,可分为半桥逆变器、全桥逆变器等。目前已广泛适用于空调、家庭影院、电脑、电视、抽油烟机...
关于MOS管的导通电阻你知道多少?
因为电流在D极和S极流过时,就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗(www.e993.com)2024年7月11日。选择导通电阻小的MOS管能减小一定的导通损耗,现在小功率的MOS管的导通电阻一般是几毫欧到几十毫欧左右。如果想要耐压越高,内部结构就要做得越厚,所以耐压越高的MOS导通电阻RDS(on)会越大。导通电阻的大小除了可以通过查阅芯片的...
MOS管知识最全收录
MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、...
关于碳化硅,把我知道的都告诉你
一般的二极管是利用PN部结合来发挥二极管特性,而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生的肖特基势垒,另外一还有一种管子也是这种金属与半导体接触,形成结区的叫MESFET(金属半导体接触势垒场效应管)SBD与一般的PN结二极管相比,具有正向电压(VF)低,开关速度快的特点。但漏电流(IR)大,有如果热设计错误则引起...
萨科微宋仕强论华强北|萨科|深圳市|电子元器件_新浪新闻
针对TWS蓝牙耳机市场,金航标萨科微在已有技术的基础上,提前有针对性预研产品,金航标“kinghelm”品牌的蓝牙陶瓷天线和萨科微“SLKOR”品牌的场效应管霍尔传感器等,也理所当然到大钱了,KH3216和SL2301还成为爆款产品,当时客户提货都要排队。华强北产业要素资源高度集聚,在叠加市场的力量,是驱动企业发展的孵化器,在华强北...
苦难与辉煌 集成电路国产化之路(下)
萨科微SLKOR产品MOS场效应管系列第三是工业体系完善。我们kinghelm朋友圈的牛人挺多,群友布莱恩特牛博士说,在联合国分类的1300多个工业体系中,我国约有700个,是最齐全的。这次疫情,中国制造的口罩、手套,口罩机、呼吸机等,响应非常快,产能很快上去了,这就得益于我们完整的工业体系。资源匹配度和社会组织的活性,...